[发明专利]一种六硝基六氮杂异伍兹烷晶型的无损检测方法及系统

权利要求书

1.一种六硝基六氮杂异伍兹烷晶型的无损检测方法，其特征在于，所述检测方法包括如下步骤：

获取待测样品的太赫兹光谱；

对所述太赫兹光谱进行处理，得到所述待测样品的吸收系数数据；

根据所述吸收系数数据，绘制所述待测样品的吸收光谱图；所述吸收系数数据为所述待测样品在每一变换点的吸收系数；所述吸收光谱图为所述吸收系数随频率的变化曲线图；

所述根据所述吸收系数数据，绘制所述待测样品的吸收光谱图具体包括：利用Savitzky-Golay方法对所述吸收系数数据进行平滑处理，得到平滑后的吸收系数数据；根据所述平滑后的吸收系数数据，利用Origin绘制所述待测样品的吸收光谱图；

获取多个标准样品的吸收光谱图；每一所述标准样品为六硝基六氮杂异伍兹烷的一种晶型；

对比所述待测样品的吸收光谱图与所述标准样品的吸收光谱图，确定所述待测样品的晶型；

所述对比所述待测样品的吸收光谱图与所述标准样品的吸收光谱图，确定所述待测样品的晶型具体包括：根据预设频率范围，分别对所述待测样品的吸收光谱图和所述标准样品的吸收光谱图进行截取，得到所述待测样品的截取后吸收光谱图和所述标准样品的截取后吸收光谱图；对比所述待测样品的截取后吸收光谱图和所述标准样品的截取后吸收光谱图，确定所述待测样品的晶型；具体对比所述待测样品的截取后吸收光谱图与所述标准样品的截取后吸收光谱图中吸收峰频率位置和吸收峰吸收强度，进行特征吸收峰指认，确定所述待测样品的晶型；所述预设频率范围为0.4-2.0THz；

所述获取待测样品的太赫兹光谱具体包括：利用太赫兹时域光谱系统采集干燥空气的太赫兹光谱；利用所述太赫兹时域光谱系统采集待测样品的太赫兹光谱；在利用所述太赫兹时域光谱系统采集待测样品的太赫兹光谱时，对所述待测样品施加预设环境温度，得到所述待测样品在预设环境温度下的太赫兹光谱，以确定所述待测样品在所述预设环境温度下的晶型；所述晶型为单晶型或者多种晶型的混合态；

在对待测样品施加环境温度，采集待测试样品的太赫兹光谱时，首先将待测样品放置在接触式金属电加热装置最内层垫片上，旋转封闭电加热装置盖层，不使电加热装置过度挤压待测样品，其后将电加热装置放置在Z-3透射式太赫兹时域光谱系统的太赫兹波聚焦点，令太赫兹波穿透位于电加热装置入光窗口的待测样品；

通过系统外围的电加热装置升温控制器对待测样品施加环境温度，并呈阶梯式每隔十分钟将温度调高10℃，通过升温控制器观测当前实际样品温度，当当前温度达到设定温度后，继续等待十分钟以保证样品达到设定温度，此时通过Z-3透射式太赫兹时域光谱系统控制软件保存当前太赫兹时域光谱数据，能够对处于不同温度的待测样品进行晶型识别。

2.根据权利要求1所述的一种六硝基六氮杂异伍兹烷晶型的无损检测方法，其特征在于，所述对所述太赫兹光谱进行处理，得到所述待测样品的吸收系数数据具体包括：

记所述干燥空气的太赫兹光谱为参考信号，记所述待测样品的太赫兹光谱为样品信号；

对所述参考信号和所述样品信号分别进行快速傅立叶变换，得到频域参考数据和频域样品数据；

根据所述频域参考数据和所述频域样品数据计算所述待测样品的吸收系数数据。

3.根据权利要求2所述的一种六硝基六氮杂异伍兹烷晶型的无损检测方法，其特征在于，所述根据所述频域参考数据和所述频域样品数据计算所述待测样品的吸收系数数据具体包括：

根据所述频域参考数据和所述频域样品数据计算每一变换点的振幅比和相位差；

根据所述振幅比和所述相位差计算每一变换点的吸收系数，得到所述待测样品的吸收系数数据。

4.根据权利要求3所述的一种六硝基六氮杂异伍兹烷晶型的无损检测方法，其特征在于，所述根据所述振幅比和所述相位差计算每一变换点的吸收系数具体包括：

根据所述相位差计算每一变换点的折射率；

根据所述振幅比和所述折射率计算每一变换点的吸收系数。

5.一种六硝基六氮杂异伍兹烷晶型的无损检测系统，其特征在于，所述检测系统包括：

太赫兹光谱获取模块，用于获取待测样品的太赫兹光谱；

太赫兹光谱处理模块，用于对所述太赫兹光谱进行处理，得到所述待测样品的吸收系数数据；

吸收光谱图绘制模块，用于根据所述吸收系数数据，绘制所述待测样品的吸收光谱图；所述根据所述吸收系数数据，绘制所述待测样品的吸收光谱图具体包括：利用Savitzky-Golay方法对所述吸收系数数据进行平滑处理，得到平滑后的吸收系数数据；根据所述平滑后的吸收系数数据，利用Origin绘制所述待测样品的吸收光谱图；所述吸收系数数据为所述待测样品在每一变换点的吸收系数；所述吸收光谱图为所述吸收系数随频率的变化曲线图；

晶型确定模块，用于获取多个标准样品的吸收光谱图；每一所述标准样品为六硝基六氮杂异伍兹烷的一种晶型；对比所述待测样品的吸收光谱图与所述标准样品的吸收光谱图，确定所述待测样品的晶型；

所述对比所述待测样品的吸收光谱图与所述标准样品的吸收光谱图，确定所述待测样品的晶型具体包括：根据预设频率范围，分别对所述待测样品的吸收光谱图和所述标准样品的吸收光谱图进行截取，得到所述待测样品的截取后吸收光谱图和所述标准样品的截取后吸收光谱图；对比所述待测样品的截取后吸收光谱图和所述标准样品的截取后吸收光谱图，确定所述待测样品的晶型；具体对比所述待测样品的截取后吸收光谱图与所述标准样品的截取后吸收光谱图中吸收峰频率位置和吸收峰吸收强度，进行特征吸收峰指认，确定所述待测样品的晶型；所述预设频率范围为0.4-2.0THz；

所述获取待测样品的太赫兹光谱具体包括：利用太赫兹时域光谱系统采集干燥空气的太赫兹光谱；利用所述太赫兹时域光谱系统采集待测样品的太赫兹光谱；在利用所述太赫兹时域光谱系统采集待测样品的太赫兹光谱时，对所述待测样品施加预设环境温度，得到所述待测样品在预设环境温度下的太赫兹光谱，以确定所述待测样品在所述预设环境温度下的晶型；所述晶型为单晶型或者多种晶型的混合态；

在对待测样品施加环境温度，采集待测试样品的太赫兹光谱时，首先将待测样品放置在接触式金属电加热装置最内层垫片上，旋转封闭电加热装置盖层，不使电加热装置过度挤压待测样品，其后将电加热装置放置在Z-3透射式太赫兹时域光谱系统的太赫兹波聚焦点，令太赫兹波穿透位于电加热装置入光窗口的待测样品；

通过系统外围的电加热装置升温控制器对待测样品施加环境温度，并呈阶梯式每隔十分钟将温度调高10℃，通过升温控制器观测当前实际样品温度，当当前温度达到设定温度后，继续等待十分钟以保证样品达到设定温度，此时通过Z-3透射式太赫兹时域光谱系统控制软件保存当前太赫兹时域光谱数据，能够对处于不同温度的待测样品进行晶型识别。