[发明专利]半导体封装以及包括其的电子装置在审
申请号: | 202110495118.6 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113629047A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 李址华;李庚德 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L27/11502;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11585;H01L27/22;H01L27/24 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 以及 包括 电子 装置 | ||
1.一种半导体封装,包括:
在基板上的半导体芯片;
电压测量电路,配置为测量将被输入到所述半导体芯片中的外部电压;以及
热电模块,配置为将从所述半导体芯片释放的热量转变为辅助电力,并配置为将所述辅助电力施加到所述半导体芯片,所述热电模块与所述电压测量电路分开,
其中所述电压测量电路配置为控制所述热电模块以响应于所述外部电压的变化而将所述辅助电力施加到所述半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述热电模块在所述半导体芯片上。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述热电模块包括第一热电模块和第二热电模块,
所述第一热电模块在所述半导体芯片上,以及
所述第二热电模块在所述基板和所述半导体芯片之间。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述热电模块围绕所述半导体芯片的侧壁。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述热电模块包括第一金属膜、第二金属膜以及在平面图中交替布置的多个p型半导体和多个n型半导体,
所述多个p型半导体中的一个连接到所述第一金属膜,第一设置温度被提供给所述第一金属膜,
所述多个n型半导体中的一个连接到所述第二金属膜,第二设置温度被提供给所述第二金属膜,以及
操作电流根据所述第一设置温度和所述第二设置温度之间的差而流过所述第一金属膜和所述第二金属膜,以将所述辅助电力施加到所述半导体芯片。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,还包括:
温度控制电路,配置为测量提供给所述半导体芯片的设置温度,并配置为向所述热电模块提供电流,
所述热电模块和所述半导体芯片通过第一晶体管而彼此连接,以及
所述热电模块和所述温度控制电路通过第二晶体管而彼此连接。
7.根据权利要求6所述的半导体封装,其中所述热电模块包括第一金属膜和第二金属膜,该第二金属膜不与所述第一金属膜接触,
第一设置温度被提供给所述第一金属膜,
第二设置温度被提供给所述第二金属膜,
所述第二设置温度为提供给所述半导体芯片的所述设置温度,
所述温度控制电路配置为测量所述第一设置温度和所述第二设置温度之间的温度变化,以及
所述电压测量电路配置为响应于所述温度变化来控制所述第一晶体管和所述第二晶体管。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中,当所述温度变化高于目标温度变化时,所述电压测量电路配置为控制以开启所述第二晶体管并将所述电流输入到所述热电模块。
9.根据权利要求7所述的半导体封装,其中当所述温度变化低于目标温度变化时,
所述电压测量电路配置为开启所述第一晶体管,并且所述热电模块配置为将所述辅助电力施加到所述半导体芯片。
10.一种半导体封装,包括:
在基板上的半导体芯片;
热电模块,配置为将从所述半导体芯片释放的热量转变为辅助电力并配置为将所述辅助电力施加到所述半导体芯片;
电压测量电路,配置为控制所述热电模块以响应于输入到所述半导体芯片的外部电压的变化而将所述辅助电力施加到所述半导体芯片;以及
温度控制电路,配置为响应于提供给所述半导体芯片的设置温度而发送控制信号到所述电压测量电路,并配置为向所述热电模块提供温度控制电流,
其中所述电压测量电路配置为根据所述控制信号来控制由所述温度控制电路提供给所述热电模块的所述温度控制电流。
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