[发明专利]放大器以及LPDDR3输入缓冲器在审
申请号: | 202110495471.4 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN115314040A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 粘书瀚 | 申请(专利权)人: | 晶豪科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 李芳华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 以及 lpddr3 输入 缓冲器 | ||
1.一种放大器,具有一输入级,该输入级包含:
一第一电流镜,耦接一预定电压源;
一第一输入差动对,耦接该第一电流镜;
一第一电流源,耦接该第一输入差动对;
一第二电流源;
一第二输入差动对,耦接该第二电流镜,其中该第一输入差动对以及该第二输入差动对用于接收一参考电压;
一第二电流镜,耦接该第二输入差动对以及一地电位;以及
一压控传输电路,被一参考电压控制;
其中当该预定电压高于一第一预定值,该第一电流镜中形成一额外电流路径且流过该第一电流镜中的该额外电流路径的电流流经该第二电流镜到该地电位;
其中当该预定电压低于一第二预定值,该第二电流镜中形成一额外电流路径且流过该第二电流镜中的该额外电流路径的电流流经该第一电流镜到该预定电压源。
2.如权利要求1所述的放大器,其中该压控传输电路包含:
一第一类一晶体管,由该参考电压控制而开启或关闭,其中当该预定电压高于该第一预定值,该第一类一晶体管开启。
3.如权利要求2所述的放大器,其中该压控传输电路还包含:
一第一类二晶体管,耦接于该第一电流镜和该第一类一晶体管之间,并耦接该地电位。
4.如权利要求3所述的放大器,其中该第一电流镜包含多个晶体管且该第一类二晶体管耦接该多个晶体管的控制端。
5.如权利要求3所述的放大器,还包含:
一第二类一晶体管,被一第一偏压电压所偏压,耦接于该第一类一晶体管以及该第二电流镜之间。
6.如权利要求1所述的放大器,其中该压控传输电路包含:
一第一类二晶体管,由该参考电压控制而开启或关闭,其中当该预定电压低于该第二预定值,该第一类二晶体管开启。
7.如权利要求6所述的放大器,其中该压控传输电路还包含:
一第一类一晶体管,耦接于该第二电流镜和该第一类二晶体管之间,并耦接该预定电压源。
8.如权利要求6所述的放大器,其中该第一电流镜包含多个晶体管且该第一类一晶体管耦接该多个晶体管的控制端。
9.如权利要求6所述的放大器,还包含:
一第二类二晶体管,被一第二偏压电压所偏压,耦接于该第一类二晶体管以及该第一电流镜之间。
10.一种LPDDR3输入缓冲器,包含:
一放大器,具有一输入级,该输入级包含:
一第一电流镜,耦接一预定电压源;
一第一输入差动对,耦接该第一电流镜;
一第一电流源,耦接该第一输入差动对;
一第二电流源;
一第二输入差动对,耦接该第二电流镜,其中该第一输入差动对以及该第二输入差动对用于接收一参考电压;
一第二电流镜,耦接该第二输入差动对以及一地电位;以及
一压控传输电路,被一参考电压控制;
其中当该预定电压高于一第一预定值,该第一电流镜中形成一额外电流路径且流过该第一电流镜中的该额外电流路径的电流流经该第二电流镜到该地电位;
其中当该预定电压低于一第二预定值,该第二电流镜中形成一额外电流路径且流过该第二电流镜中的该额外电流路径的电流流经该第一电流镜到该预定电压源。
11.如权利要求10所述的LPDDR3输入缓冲器,其中该压控传输电路包含:
一第一类一晶体管,由该参考电压控制而开启或关闭,其中当该预定电压高于该第一预定值,该第一类一晶体管开启。
12.如权利要求11所述的LPDDR3输入缓冲器,其中该压控传输电路还包含:
一第一类二晶体管,耦接于该第一电流镜和该第一类一晶体管之间,并耦接该地电位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶豪科技股份有限公司,未经晶豪科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110495471.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:冷冻消融装置与冷冻消融系统
- 下一篇:连接装置