[发明专利]基于三导体非对称耦合线的双频低插损负群时延微波电路有效
申请号: | 202110496021.7 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113328717B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 王钟葆;孟雨薇;房少军;刘宏梅;赵世朋 | 申请(专利权)人: | 大连海事大学 |
主分类号: | H03H7/30 | 分类号: | H03H7/30 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 姜玉蓉;李洪福 |
地址: | 116026 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 导体 对称 耦合 双频 低插损负 群时延 微波 电路 | ||
1.一种基于三导体非对称耦合线的双频低插损负群时延微波电路,其特征在于,包括:输入端口(1)、三导体非对称耦合线(2)、第一吸收电阻(3)、第一传输线(4)、第二吸收电阻(5)、第二传输线(6)和输出端口(7);其中,所述三导体非对称耦合线(2)的结构左右对称、上下不对称设置;所述三导体非对称耦合线(2)包括与输入端口(1)相连的输入三导体非对称耦合线(21)、与输出端口(7)相连的输出三导体非对称耦合线(22);
所述输入三导体非对称耦合线(21)包括第一输入导体(211)、第二输入导体(212)和第三输入导体(213);所述输出三导体非对称耦合线(22)包括第一输出导体(221)、第二输出导体(222)和第三输出导体(223);
所述第一吸收电阻(3)包括位于第一传输线(4)两侧的第一输入吸收电阻(31)和第一输出吸收电阻(32);所述第二吸收电阻(5)包括位于第二传输线(6)两侧的第二输入吸收电阻(51)和第二输出吸收电阻(52);
所述第一输入导体(211)和第三输入导体(213)靠近输出端口(7)的一侧为开路;所述第一输出导体(221)和第三输出导体(223)靠近输入端口(1)的一侧为开路;
所述输入端口(1)通过第二输入导体(212)与第二输出导体(222)相连接,之后与输出端口(7)连接;
所述第一输入导体(211)经第一输入吸收电阻(31)与第一传输线(4)相连接、之后经第一输出吸收电阻(32)与第一输出导体(221)连接构成上支路;所述第三输入导体(213)经第二输入吸收电阻(51)与第二传输线(6)相连接、之后经第二输出吸收电阻(52)与第三输出导体(223)连接构成下支路。
2.根据权利要求1所述的一种基于三导体非对称耦合线的双频低插损负群时延微波电路,其特征在于:双频低插损负群时延的实现条件为:所述三导体非对称耦合线(2)的长度为中心频率所对应波长的四分之一,第一传输线(4)和第二传输线(6)的长度为中心频率所对应波长的二分之一,上支路和下支路分别在第一工作频率和第二工作频率处产生负群时延进而实现双频低插损负群时延特性。
3.根据权利要求1所述的一种基于三导体非对称耦合线的双频低插损负群时延微波电路,其特征在于:通过改变第一输入导体(211)和第三输入导体(213)的宽度从而调节第一工作频率和第二工作频率对应的群时延值;通过改变第二输入导体(212)的宽度从而调节第一工作频率和第二工作频率;通过改变第一传输线(4)的宽度从而调节第一工作频率;通过改变第一输入导体(211)与第二输入导体(212)的距离以及第一吸收电阻(3)的阻值,从而调节第一工作频率所对应的群时延值;通过改变第二传输线(6)的宽度从而调节第二工作频率;通过改变第三输入导体(213)与第二输入导体(212)的距离以及第二吸收电阻(5)的阻值,从而调节第二工作频率所对应的群时延值。
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