[发明专利]一种植入体界面修饰材料、植入体及植入体的制备方法有效
申请号: | 202110496268.9 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113209393B | 公开(公告)日: | 2023-02-07 |
发明(设计)人: | 阎梦萦;王璐璐;曹燚;鲁艺;王立平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | A61L31/10 | 分类号: | A61L31/10;A61L31/08;A61L31/14;A61B5/268;A61B5/294 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 李玉娜;范盈 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 植入 界面 修饰 材料 制备 方法 | ||
1.一种植入体,其特征在于,从内到外依次包括植入体主体、覆盖于所述植入体主体所需修饰界面的薄膜材料、3,4-乙烯二氧噻吩;覆盖于所述植入体主体所需修饰界面的薄膜材料包括富含阴离子的聚合物、成膜性好的聚合物,所述富含阴离子的聚合物、成膜性好的聚合物的摩尔比为0.1-10;
所述富含阴离子的聚合物包括聚丙烯酸钠、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸盐、聚乙烯磺酸、聚乙烯磺酸盐、聚苯乙烯磺酸、聚苯乙烯磺酸盐中的一种或多种;
所述成膜性好的聚合物包括聚乙烯醇、聚偏氟乙烯、聚丙烯腈、壳聚糖中的一种或多种;
所述的植入体通过下述制备方法制备,所述制备方法包括以下步骤:
a1)将富含阴离子的聚合物与成膜性好的聚合物进行混合,加热反应,得到液体薄膜材料;
a2)在植入体主体所需修饰界面轻沾液体薄膜材料或者将液体薄膜材料均匀涂抹至植入体主体所需修饰界面,然后烘干,烘干后将其溶胀,溶胀过后重新烘干,得到所需修饰界面覆盖薄膜材料的植入体主体;
a3)将所需修饰界面覆盖薄膜材料的植入体主体浸入3,4-乙烯二氧噻吩溶液中进行电沉积得到所述植入体;
a1)中所述加热反应的温度为80-95℃,所述加热反应的时间为12h以上;
a2)中所述烘干的温度为60-80℃,所述烘干的时间为6-12h;
a2)中所述重新烘干的温度不得高于液体薄膜材料原材料的相变温度,所述重新烘干的时间为6-12h;
或b1)将富含阴离子的聚合物与成膜性好的聚合物进行混合,加热反应,得到液体薄膜材料;
b2)先将液体薄膜材料均匀涂抹至玻片表面或适宜的模具中,然后烘干,烘干后再溶胀至薄膜脱落,之后剪取适宜大小的薄膜平铺至植入体主体所需修饰的界面,再重新烘干,得到所需修饰界面覆盖薄膜材料的植入体主体;
b3)将所需修饰界面覆盖薄膜材料的植入体主体浸入3,4-乙烯二氧噻吩溶液中进行电沉积得到所述植入体;
b1)中所述加热反应的温度为80-95℃,所述加热反应的时间为12h以上;
b2)中所述烘干的温度为60-80℃,所述烘干的时间为6-12h;
b2)中所述重新烘干的温度不得高于液体薄膜材料原材料的相变温度,所述重新烘干的时间为6-12h。
2.根据权利要求1所述的植入体,其特征在于,覆盖于所述植入体主体所需修饰界面的薄膜材料的厚度为0.1-200微米。
3.根据权利要求1所述的植入体,其特征在于,所述植入体主体包括排针、硅管、金属电极丝。
4.根据权利要求1所述的植入体,其特征在于,a2中所述溶胀所用的溶剂为PBS溶液。
5.根据权利要求1所述的植入体,其特征在于,a3中3,4-乙烯二氧噻吩溶液的浓度为1mM-25mM。
6.根据权利要求1所述的植入体,其特征在于,a3中所述电沉积的工艺条件为电压0.6-2V,时间20-300s。
7.根据权利要求1所述的植入体,其特征在于,b2中所述溶胀所用的溶剂为PBS溶液。
8.根据权利要求1所述的植入体,其特征在于,b3中3,4-乙烯二氧噻吩溶液的浓度为1mM-25mM。
9.根据权利要求1所述的植入体,其特征在于,b3中所述电沉积的工艺条件为电压0.6-2V,时间20-300s。
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