[发明专利]一种反射型拓扑绝缘体波长转换器件在审
| 申请号： | 202110496337.6 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113311634A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 李国强 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250000 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反射 拓扑 绝缘体 波长 转换 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于，包括纤芯和拓扑绝缘体，所述拓扑绝缘体覆盖在所述纤芯的端面。
2.如权利要求1所述的反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述纤芯的端面为锥形。
3.如权利要求2所述的反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述锥形为圆锥形。
4.如权利要求3所述的反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述圆锥形的轴线与所述纤芯的轴线重合。
5.如权利要求4所述的反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：还包括贵金属颗粒，所述贵金属颗粒设置在所述圆锥形的顶部，所述拓扑绝缘体覆盖所述贵金属颗粒。
6.如权利要求5所述的反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述贵金属颗粒的材料为金或银。
7.如权利要求1-6任一项所述的反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述纤芯的直径小于2微米。
8.如权利要求7所述的反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体为Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Se3、Sb2Te3、InSb、Li2IrO3。
9.如权利要求8所述的反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体为拓扑绝缘体纳米颗粒。
10.如权利要求9所述的反射型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体纳米颗粒采用喷涂方法制备在所述纤芯的端面上。
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