[发明专利]一种基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件

权利要求书

1.一种基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于，包括基底、贵金属层和拓扑绝缘体部，所述贵金属层置于所述基底上，所述贵金属层的表面设有周期性排布的凹槽，所述拓扑绝缘体部设置在所述凹槽内；应用时，应用可见光波段激光垂直或倾斜照射所述贵金属层的表面。

2.如权利要求1所述的基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体部置于所述凹槽的底部。

3.如权利要求2所述的基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体部贴附在所述凹槽的侧面上。

4.如权利要求3所述的基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体部为拓扑绝缘体纳米片。

5.如权利要求4所述的基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体纳米片的厚度大于10纳米、小于40纳米。

6.如权利要求5所述的基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于：贴附所述拓扑绝缘体部的所述凹槽的侧面垂直于所述贵金属层的表面，贴附所述拓扑绝缘体部的所述凹槽的侧面的相对面为倾斜面，所述凹槽的底部窄，所述凹槽的顶部宽。

7.如权利要求1-6任一项所述的基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于：所述凹槽的深度大于200纳米。

8.如权利要求7所述的基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于：所述贵金属层的材料为金或银。

9.如权利要求8所述的基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于：还包括石墨烯层，所述石墨烯层覆盖所述凹槽。

10.如权利要求9所述的基于拓扑绝缘体和贵金属的波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体部的材料为Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、Sb₂Se₃、Sb₂Te₃、InSb、Li₂IrO₃。