[发明专利]镜头模组及其形成方法有效
申请号: | 202110496842.0 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113192994B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 李绍志;王辉;陈一诚 | 申请(专利权)人: | 豪威光电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201611 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 镜头 模组 及其 形成 方法 | ||
1.一种镜头模组,其特征在于,所述镜头模组包括镜片组和基板;
所述基板包括第一表面,所述第一表面具有内应力集中点;
所述镜片组位于所述第一表面上,所述镜片组包括第一镜片和若干个第二镜片,若干个所述第二镜片沿所述镜片组的厚度方向依次堆叠于所述第一镜片上,且所述镜片组具有缺口;
其中,所述缺口暴露出所述内应力集中点,且所述缺口与所述内应力集中点一一对应,所述镜片组与所述第一表面之间具有一封闭的空腔,所述镜片组的光学区域位于所述空腔中,所述缺口与所述空腔之间呈间隔设置,且所述缺口与所述空腔之间未贯通, 且所述缺口沿所述镜片组的厚度方向上的长度小于或等于所述第一镜片沿所述镜片组的厚度方向上的长度。
2.如权利要求1所述的镜头模组,其特征在于,所述镜片组为长方体结构,所述基板为长方形基板,所述内应力集中点位于所述长方形基板的边角处。
3.如权利要求1所述的镜头模组,其特征在于,所述镜头模组还包括保护层和图像传感器,所述基板还包括第二表面,且所述第二表面与所述第一表面相对设置,所述保护层和所述图像传感器沿所述镜片组的厚度方向依次堆叠于所述第二表面上。
4.一种镜头模组的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供晶圆级的第一镜片和若干个晶圆级的第二镜片,将若干个所述晶圆级的第二镜片沿所述晶圆级的第一镜片的厚度方向依次堆叠,以形成晶圆级的镜片组,所述晶圆级的第一镜片具有凹陷,所述凹陷位于所述晶圆级的镜片组的切割道上,且所述凹陷位于所述晶圆级的第一镜片远离所述晶圆级的第二镜片的一侧上;
沿所述切割道切割所述晶圆级的第一镜片和所述晶圆级的第二镜片,以得到单个的第一镜片、单个的第二镜片及单个的镜片组,所述凹陷在每个所述镜片组上形成缺口;
提供基板,所述基板包括第一表面,将所述镜片组堆叠于所述第一表面上,以形成镜头模组;
其中,所述第一表面具有内应力集中点,所述缺口暴露出所述内应力集中点,且所述缺口与所述内应力集中点一一对应,所述镜片组与所述第一表面之间具有一封闭的空腔,所述镜片组的光学区域位于所述空腔中,所述缺口与所述空腔之间呈间隔设置,且所述缺口与所述空腔之间未贯通, 且所述缺口沿所述镜片组的厚度方向上的长度小于或等于所述第一镜片沿所述镜片组的厚度方向上的长度。
5.如权利要求4所述的镜头模组的形成方法,其特征在于,提供镜片组,所述镜片组具有缺口包括:
提供晶圆级的第一镜片和若干个晶圆级的第二镜片,将若干个所述晶圆级的第二镜片沿所述晶圆级的第一镜片的厚度方向依次堆叠,以形成晶圆级的镜片组;
在所述晶圆级的镜片组的切割道的交汇处形成通孔,所述通孔沿所述镜片组的厚度方向贯穿所述镜片组,所述通孔部分位于所述镜片组的非光学区域;以及
沿所述切割道切割所述晶圆级的第一镜片和所述晶圆级的第二镜片,以得到单个的第一镜片、单个的第二镜片及单个的镜片组,所述通孔在每个所述镜片组上形成缺口。
6.如权利要求4所述的镜头模组的形成方法,其特征在于,形成镜头模组的步骤包括:
提供基板,所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面,将所述镜片组设置于所述第一表面上;以及
在所述第二表面上沿所述镜片组的厚度方向依次堆叠保护层和图像传感器,以形成所述镜头模组。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威光电子科技(上海)有限公司,未经豪威光电子科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110496842.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种岩石裂缝孔隙度检测工艺
- 下一篇:一种微型可编程脉冲高压源
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的