[发明专利]一种采用铁电存储器的数据存储方法及其可编程逻辑控制器在审
申请号: | 202110496904.8 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113312207A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 邹德文;肖仁杰;方勇国 | 申请(专利权)人: | 埃森智能科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14;G11C11/22 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 孙浩 |
地址: | 518103 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 存储器 数据 存储 方法 及其 可编程 逻辑 控制器 | ||
本发明提供了一种采用铁电存储器的数据存储方法及其可编程逻辑控制器,比较现有数据区的数据与备份数据区的数据,若发现不同数据,将不同数据写入备份数据区和铁电存储器中,然后重新开始检测现有数据区的数据与备份数据区的数据,直到现有数据区和备份数据区完全相同,本发明针对铁电存储器的数据存储速率不够快而影响系统运行实时性的问题,选择增加备份数据区,将现有数据区和备份数据区进行比较,以选择出现有数据区中不同的数据,以减少需要存储的数据,从而加快数据存储速率,进而保证了系统运行的实时性。
技术领域
本发明涉及计算机运行领域,特别涉及一种采用铁电存储器的数据存储方法及其可编程逻辑控制器。
背景技术
目前可编程逻辑控制器的主要存储器是SRAM(静态随机存取存储器),SRAM的数据保存速率很快,但SRAM的最大缺点就是必须常备电池来进行供电,电池的存在使得可编程逻辑控制器的运输十分的不方便,而铁电存储器由于其不需要常备电源的特点,是一种良好的代替品,然而由于铁电存储器的数据保存速率不算快,因此若使用铁电存储器当存储器时,会面临当数据量较多的时候,需要较长的时间来进行保存,进而影响整个系统的运行实时性的问题,因此需要一种方法来使铁电存储器可以替代SRAM作为可编程逻辑控制器的存储器。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种采用铁电存储器的数据存储方法及其可编程逻辑控制器,其技术方案如下:
第一方面,本发明提供了一种采用铁电存储器的数据存储方法,应用于可编程逻辑控制器,所述可编程逻辑控制器包括内存和铁电存储器,所述内存包括现有数据区和备份数据区,该方法包括:
比较所述现有数据区的数据与所述备份数据区的数据;
若发现不同数据,将所述不同数据写入所述备份数据区和所述铁电存储器中;
然后重新开始检测所述现有数据区的数据与所述备份数据区的数据,直到所述现有数据区和所述备份数据区完全相同。
进一步,所述铁电存储器内设置有数据存储区,数据存放在所述数据存储区内。
进一步,所述备份数据区的原始数据从所述数据存储区处导出。
进一步,当所述可编程逻辑控制器掉电需要进行数据掉电存储时,自动运行上述方法。
进一步,发现所述现有数据区和所述备份数据区之间一个不同数据后,不再检测后续的数据。
进一步,一个不同数据的存储和写入的均在一个时间周期内完成。
第二方面,本发明还提供了一种可编程逻辑控制器,采用上述任一一种采用铁电存储器的数据存储方法,包括:
处理器;
内存,所述内存与所述处理器信号连接;
铁电存储器,所述处理器和所述内存均与所述铁电存储器信号连接。
进一步,所述内存包括现有数据区和备份数据区,所述现有数据区用于存储现有数据,所述备份数据区从所述铁电存储器中读取备份数据。
进一步,所述处理器控制所述现有数据区和备份数据区进行数据比较。
进一步,所述处理器可控制所述现有数据区将数据写入所述铁电存储器中。
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