[发明专利]一种三维相变存储器及其控制方法

权利要求书

1.一种三维相变存储器，其特征在于，包括：

沿第三方向依次交替堆叠分布的至少两条导电线和至少一个相变存储单元，每个所述相变存储单元位于相邻两条导电线之间，其中，奇数条所述导电线沿第一方向延伸，偶数条所述导电线沿第二方向延伸，所述第一方向、所述第二方向与所述第三方向相互垂直；

所述相变存储单元包括依次堆叠分布的第一电极、选通层、第二电极、相变存储层以及第三电极；所述三维相变存储器中的电流方向为从所述选通层流向所述相变存储层；其中，

所述第三电极与所述相变存储层之间的相对赛贝克系数的绝对值大于所述第二电极与所述相变存储层之间的相对赛贝克系数的绝对值；

所述第二电极与所述选通层之间的相对赛贝克系数的绝对值大于所述第二电极与所述相变存储层之间的相对赛贝克系数的绝对值。

2.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于，所述第二电极与所述选通层之间的相对赛贝克系数的绝对值大于所述第一电极与所述选通层之间的相对赛贝克系数的绝对值。

3.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于，所述至少一个相变存储单元包括至少两个沿第三方向相邻设置的相变存储单元，所述至少两个相变存储单元中的一个包括沿第三方向依次堆叠分布的第一电极、选通层、第二电极、相变存储层和第三电极，所述至少两个相变存储单元中的另一个包括沿第三方向依次堆叠分布的第三电极、相变存储层、第二电极、选通层和第一电极；且所述至少两个相变存储单元中的两个相变存储层之间的距离小于两个选通层之间的距离。

4.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于，所述相变存储层与所述第三电极之间的相对赛贝克系数的绝对值和/或所述选通层与所述第二电极之间的相对赛贝克系数的绝对值大于200mV/K。

5.一种三维相变存储器的控制方法，其特征在于，包括：

提供三维相变存储器，所述三维相变存储器包括：沿第三方向依次交替堆叠分布的至少两条导电线和至少一个相变存储单元，每个所述相变存储单元位于相邻两条导电线之间，其中，奇数条所述导电线沿第一方向延伸，偶数条所述导电线沿第二方向延伸，所述第一方向、所述第二方向与所述第三方向相互垂直；所述相变存储单元包括沿第三方向依次堆叠分布的第一电极、选通层、第二电极、相变存储层以及第三电极；其中，所述第三电极与所述相变存储层之间的相对赛贝克系数的绝对值大于所述第二电极与所述相变存储层之间的相对赛贝克系数的绝对值；

对所述导电线施加电压，控制所述电压使得所述三维相变存储器中的电流方向从所述选通层流向所述相变存储层；

所述第二电极与所述选通层之间的相对赛贝克系数的绝对值大于所述第二电极与所述相变存储层之间的相对赛贝克系数的绝对值。

6.根据权利要求5所述的三维相变存储器的控制方法，其特征在于，包括：

所述至少一个相变存储单元包括至少两个沿第三方向相邻设置的相变存储单元，所述至少两个相变存储单元中的一个包括沿第三方向依次堆叠分布的第一电极、选通层、第二电极、相变存储层和第三电极，所述至少两个相变存储单元中的另一个包括沿第三方向依次堆叠分布的第三电极、相变存储层、第二电极、选通层和第一电极；且所述至少两个相变存储单元中的两个相变存储层之间的距离小于两个选通层之间的距离。

7.根据权利要求6所述的三维相变存储器的控制方法，其特征在于，所述对所述导电线施加电压，包括：

位于相邻两个所述相变存储层之间的所述导电线接地或接负偏压，其他所述导电线接正偏压。

8.根据权利要求5所述的三维相变存储器的控制方法，其特征在于，所述第二电极与所述选通层之间的相对赛贝克系数的绝对值大于所述第一电极与所述选通层之间的相对赛贝克系数的绝对值。