[发明专利]带有端口相移的功分器及其设计方法、电子设备有效

专利信息
申请号: 202110497310.9 申请日: 2021-05-07
公开(公告)号: CN113422189B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 李霁晨;刘开雨;李天龙;王宇 申请(专利权)人: 中国科学院空天信息创新研究院
主分类号: H01P5/16 分类号: H01P5/16
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王军红;张颖玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 带有 端口 相移 功分器 及其 设计 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种带有端口相移的功分器,其特征在于,所述功分器包括:

第一电路层,具有输入端口传输线、阻抗变换传输线、移相器上层耦合线、移相器半波长传输线、移相器相位基准传输线和输出端口传输线,所述输入端口传输线与所述阻抗变换传输线电连接,所述输出端口传输线与所述移相器相位基准传输线及所述移相器上层耦合线分别电连接;所述阻抗变换传输线与所述移相器上层耦合线电连接;所述移相器半波长传输线与所述移相器上层耦合线电连接且通过过孔与电路接地层电连接;所述移相器上层耦合线及所述移相器相位基准传输线上分别电连接有所述输出端口传输线;其中,所述移相器上层耦合线包括第一移相器上层子耦合线和第二移相器上层子耦合线;

所述输出端口传输线包括第一输出端口子传输线和第二输出端口子传输线;

所述第二移相器上层子耦合线与所述第一移相器上层子耦合线之间间隔设置;所述移相器半波长传输线与所述第二移相器上层子耦合线电连接;

所述第一输出端口子传输线与所述第二移相器上层子耦合线电连接,所述第二输出端口子传输线与所述移相器相位基准传输线的第二端电连接;

第二电路层,设置有缺陷地结构及接地层耦合线,所述缺陷地结构与所述阻抗变换传输线及移相器上层耦合线分别位置对应;所述接地层耦合线通过所述第一电路层设置的过孔与所述移相器上层耦合线电连接;

介质层,设置于所述第一电路层和所述第二电路层之间。

2.根据权利要求1所述的功分器,其特征在于,所述阻抗变换传输线包括第一阻抗变换子传输线、第二阻抗变换子传输线、第三阻抗变换子传输线和第四阻抗变换子传输线;

所述第一阻抗变换子传输线的第一端和所述第三阻抗变换子传输线的第一端直接电连接;所述第二阻抗变换子传输线的第一端和所述第四阻抗变换子传输线的第一端直接电连接;所述第四阻抗变换子传输线的第二端与所述移相器相位基准传输线的第一端电连接,所述第三阻抗变换子传输线的第二端与所述第一移相器上层子耦合线的第一端电连接;所述输入端口传输线连接于所述第一阻抗变换子传输线和所述第二阻抗变换子传输线的电连接处。

3.根据权利要求2所述的功分器,其特征在于,所述接地层耦合线包括第一接地层子耦合线和第二接地层子耦合线;所述第一接地层子耦合线和所述第二接地层子耦合线分别与所述第一移相器上层子耦合线和所述第二移相器上层子耦合线的位置分别对应;

所述第一移相器上层子耦合线在所述第一电路层上的投影处设置有过孔,所述第一接地层子耦合线通过过孔与所述第一移相器上层子耦合线电连接;

所述第二移相器上层子耦合线在所述第一电路层上的投影处设置有过孔,所述第二接地层子耦合线通过过孔与所述第二移相器上层子耦合线电连接。

4.根据权利要求3所述的功分器,其特征在于,所述缺陷地结构包括第一缺陷地子结构、第二缺陷地子结构和第三缺陷地子结构;

所述第一缺陷地子结构位于所述第一阻抗变换子传输线下方位置;

所述第二缺陷地子结构位于所述第二阻抗变换子传输线下方位置;

所述第一接地层子耦合线和所述第二接地层子耦合线位于所述第三缺陷地子结构;

其中,所述第一缺陷地子结构、所述第二缺陷地子结构和所述第三缺陷地子结构通过在金属接地平面蚀刻而分别形成。

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