[发明专利]一种具有亚稳态抑制技术的高速动态比较器有效
申请号: | 202110498312.X | 申请日: | 2021-05-08 |
公开(公告)号: | CN113114181B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 吴建辉;阚佳慧;李红 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 沈廉 |
地址: | 210096 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 亚稳态 抑制 技术 高速 动态 比较 | ||
1.一种具有亚稳态抑制技术的高速动态比较器,其特征在于,该高速动态比较器包括前级放大器(1)、后级锁存器(2)和亚稳态抑制电路(3);前级放大器(1)实现对输入差分信号的放大,两个输入端分别连接正端输入信号VIP和负端输入信号VIN,输出放大器正端输出信号P和放大器负端输出信号N给后级锁存器(2);后级锁存器(2)实现输入信号的快速比较,输出锁存器正端输出信号VOP和锁存器负端输出信号VON到亚稳态抑制电路(3);亚稳态抑制电路(3)用于亚稳态抑制,输出的时钟信号CLK连接到前级放大器(1)中尾电流管M5栅极,输出的下拉信号KN和上拉信号K分别连接到后级锁存器(2)中下拉NMOS管M14和上拉PMOS管M15栅极;
该高速动态比较器具有两种工作模式:复位模式和比较模式;通过控制信号CKC控制,当控制信号CKC为1时,比较器处于复位模式,当控制信号CKC为0时,比较器处于比较模式;
所述前级放大器(1)的结构为:第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的栅极作为输入端,分别连接正端输入信号VIP和负端输入信号VIN,源极共同连接到尾电流管M5的漏极,第一PMOS管M1的漏极连接到第三NMOS管M3的漏极,输出正端输出信号P,第二PMOS管M2的漏极连接到第四NMOS管M4的漏极,输出负端输出信号N;第三NMOS管M3和第四NMOS管M4的栅极共同接入控制信号CKC,源极接地;尾电流管M5的源极连接到电源电压VDD;
所述后级锁存器(2)的结构为:
第八PMOS管M8的栅极和第十NMOS管M10的栅极连接,第九PMOS管M9的栅极和第十一NMOS管M11的栅极连接,作为后级锁存器(2)的两个输入端,分别接入放大器正端输出信号P和放大器负端输出信号N;
第六PMOS管M6、第七PMOS管M7、第十二NMOS管M12和第十三NMOS管M13构成互锁反相器,实现正反馈;第六PMOS管M6漏极、第八PMOS管M8漏极、第十NMOS管M10漏极和下拉NMOS管M14漏极共同连接到第七PMOS管M7和第十三NMOS管M13的栅极,并经过反相器输出锁存器正端输出信号VOP;第十NMOS管M10的源极连接到第十二NMOS管M12的漏极;第七PMOS管M7漏极、第九PMOS管M9漏极、第十一NMOS管M11漏极和上拉PMOS管M15漏极共同连接到第六PMOS管M6和第十二NMOS管M12的栅极,并经过反相器输出锁存器负端输出信号VON;第十一NMOS管M11的源极连接到第十三NMOS管M13的漏极;
第六PMOS管M6源极、第八PMOS管M8源极、第七PMOS管M7源极、第九PMOS管M9源极和上拉PMOS管M15源极连接到电源电压VDD,第十二NMOS管M12源极、第十三NMOS管M13源极和下拉NMOS管M14源极接地;上拉PMOS管M15的栅极连接上拉信号K,下拉NMOS管M14的栅极连接下拉信号KN;
所述亚稳态抑制电路(3)由第一同或门XNOR1、第二同或门XNOR2、延迟单元dly和D触发器构成,锁存器正端输出信号VOP和锁存器负端输出信号VON连接到第一同或门XNOR1的两个输入端,第一同或门XNOR1的输出和控制信号CKC连接到第二同或门XNOR2的两个输入端,第二同或门XNOR2输出的时钟信号CLK经过延迟单元dly产生时钟延迟信号CLKd;D触发器的复位端RST连接时钟信号CLK,时钟端口CP连接时钟延迟信号CLKd,输入端D连接地电平,第一输出端Q和第二输出端分别输出上拉信号K和下拉信号KN。
2.根据权利要求1所述的一种具有亚稳态抑制技术的高速动态比较器,其特征在于,所述D触发器,当时钟信号CLK为1时,第一输出端Q输出的上拉信号K被复位为1,当时钟信号CLK为0时,且时钟延迟信号CLKd为下降沿时,D触发器触发,输入端D的信号被传送到第一输出端Q。
3.根据权利要求1所述的一种具有亚稳态抑制技术的高速动态比较器,其特征在于,所述复位模式的工作过程为:当控制信号CKC为1时,第三NMOS管M3和第四NMOS管M4导通,前级放大器(1)的放大器正端输出信号P和放大器负端输出信号N被拉低至0;后级锁存器(2)的第八PMOS管M8和第九PMOS管M9导通,锁存器正端输出信号VOP和锁存器负端输出信号VON被复位至0,第一同或门XNOR1输出1,控制信号CKC为1,所以第二同或门XNOR2输出1,尾电流管M5关闭。
4.根据权利要求1所述的一种具有亚稳态抑制技术的高速动态比较器,其特征在于,所述比较模式的工作过程为:当控制信号CKC为0时,第三NMOS管M3和第四NMOS管M4关闭,放大器正端输出信号P和放大器负端输出信号N保持为0,第二同或门XNOR2输出为0,尾电流管M5导通,第一PMOS管M1和第二PMOS管M2对正端输入信号VIP和负端输入信号VIN进行放大,输出放大器正端输出信号P和放大器负端输出信号N给后级锁存器(2),使第六PMOS管M6-第十三NMOS管M13进入正反馈状态,进行放大器正端输出信号P和放大器负端输出信号N的比较,比较完成后,迅速对放大器正端输出信号P和放大器负端输出信号N的电压差进行锁存,从而实现快速比较;
未出现亚稳态情况时,锁存器正端输出信号VOP和锁存器负端输出信号VON其中一个为0一个为1,第一同或门XNOR1输出0,控制信号CKC为0,所以第二同或门XNOR2输出时钟信号CLK为1,尾电流管M5关闭,无静态电流;此时比较速度较快,第二同或门XNOR2输出时钟信号CLK变为1时,时钟延迟信号CLKd仍保持在1,所以D触发器并未工作,下拉NMOS管M14和上拉PMOS管M15一直处于关断状态;
若出现亚稳态情况,锁存器正端输出信号VOP和锁存器负端输出信号VON会在长时间内保持相同电平,第一同或门XNOR1输出为1,控制信号CKC为0,所以第二同或门XNOR2输出时钟信号CLK变为0,在时钟信号CLK保持为0的时候,时钟延迟信号CLKd由1变为0,此时D触发器触发,输出上拉信号K为0,输出下拉信号KN为1,下拉NMOS管M14和上拉PMOS管M15导通,迅速打破亚稳态,锁存器正端输出信号VOP变为1,锁存器负端输出信号VON变为0,通过第一同或门XNOR1和第二同或门XNOR2构成的反馈系统,时钟信号CLK变为1,尾电流管M5关闭,D触发器被重新复位,比较器也进入了复位状态。
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