[发明专利]集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法

权利要求书

1.一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路（2）， 所述太赫兹单片电路（2）的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点（10）后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点（10）的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点（11），所述侧面射频测试压点（11）通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构（3）上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口（4）；所述在片探针结构（3）包括位于在片探针结构衬底上表面的中间金属（5），所述中间金属（5）的一端与所述中间射频测试压点（10）连接，所述中间金属（5）的两侧分别形成有第一侧金属条（6）和第二侧金属条（7），所述中间金属（5）靠近外侧的一端形成有与其垂直的第一折弯部（5-1），所述第二侧金属条（7）靠近外侧的一端形成有与其垂直的第二折弯部（7-1），所述第一折弯部（5-1）与第二折弯部（7-1）的延伸方向相反，所述在片探针结构部分的衬底的背面形成有背面金属层（8），所述第一侧金属条（6）以及第二侧金属条（7）靠近内侧的一端通过金属化过孔（9）与所述背面金属层（8）连接，且所述金属化过孔（9）外侧的衬底部分没有背面金属层。

2.如权利要求1所述的集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：所述太赫兹单片电路衬底与在片探针结构衬底的厚度相等。

3.如权利要求1所述的集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：所述太赫兹单片电路为微带电路，所述微带电路的输入端微带线以及输出端微带线经中间射频测试压点（10）后与所述中间金属（5）连接。

4.如权利要求1所述的集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：所述太赫兹单片电路为共面波导电路，所述共面波导电路的输出端共面波导与输入端共面波导分别经中间射频测试压点（10）后与所述中间金属（5）连接，所述共面波导电路两侧的电路经侧面射频测试压点（11）后分别与第一侧金属条（6）以及第二侧金属条（7）连接，作为共面波导两边金属的一部分。