[发明专利]一种抗辐射SOI器件及制造方法

权利要求书

1.一种抗辐射SOI器件，其特征在于，包括形成于SOI基片之上的pLDMOS管(101)、nLDMOS管(102)、pMOS管(103)、nMOS管(104)、LIGBT管(105)，相邻器件之间通过隔离槽进行隔离，所述隔离槽由隔离侧壁氧化层(14)和隔离槽填充多晶(15)构成；所述SOI基片包括顶层硅(16)、埋氧化层(8)和P型衬底(9)；

pLDMOS管(101)包括：在顶层硅(16)上通过离子注入和扩散形成的P型阱区(1)、N型阱区(2)和P型漂移区(3)，P型阱区(1)表面有离子注入形成的重掺杂P型接触区(12)，N型阱区(2)表面有离子注入形成的重掺杂P型接触区(12)和重掺杂N型接触区(13)；在N型阱区(2)和部分P型漂移区(3)表面热生长分别形成栅氧化层(10)和场氧化层(7)，栅氧化层(10)左侧覆盖一部分N型阱区(2)中的重掺杂P型接触区(12)，右侧连接到场氧化层(7)，场氧化层(7)为部分场氧，栅极多晶(11)位于栅氧化层(10)之上并一直向右延伸，覆盖一部分场氧化层(7)；pLDMOS源电极(31)位于N型阱区(2)内P型接触区(12)和N型接触区(13)上方、并将P型接触区(12)和N型接触区(13)短接，pLDMOS漏电极(32)位于P型阱区(1)内P型接触区(12)上方，pLDMOS的栅电极(33)位于栅极多晶(11)上方；

nLDMOS管(102)包括：在顶层硅(16)上通过离子注入和扩散形成的P型阱区(1)、N型阱区(2)和N型漂移区(4)，P型阱区(1)表面有离子注入形成的重掺杂P型接触区(12)和重掺杂N型接触区(13)，N型阱区(2)表面有离子注入形成的重掺杂N型接触区(13)；在P型阱区(1)和部分N型漂移区(4)表面热生长分别形成栅氧化层(10)和场氧化层(7)，栅氧化层(10)左侧覆盖一部分P型阱区(1)中的重掺杂N型接触区(13)，右侧连接到场氧化层(7)，场氧化层(7)为部分场氧，栅极多晶(11)位于栅氧化层(10)之上并一直向右延伸，覆盖一部分场氧化层(7)；nLDMOS源电极(34)位于P型阱区(1)内的P型接触区(12)和N型接触区(13)上方、并将P型接触区(12)和N型接触区(13)短接，nLDMOS漏电极(35)位于N型阱区(2)内N型接触区(13)上方，nLDMOS的栅电极(36)位于栅极多晶(11)上方；

pMOS管(103)包括：在顶层硅(16)上通过离子注入和扩散形成的N型阱区(2)，N型阱区(2)表面有两个通过离子注入形成的重掺杂P型接触区(12)；热生长形成的栅氧化层(10)连接两个P型接触区(12)并覆盖部分P型接触区(12)，栅极多晶(11)覆盖全部的栅氧化层(10)；pMOS源电极(37)位于左侧P型接触区(12)上方，pMOS漏电极(38)位于右侧P型接触区(12)上方，pMOS的栅电极(39)位于栅极多晶(11)上方；

nMOS管(104)包括：在顶层硅(16)上通过离子注入和扩散形成的P型阱区(1)，P型阱区(1)表面有两个通过离子注入形成的重掺杂N型接触区(13)，热生长形成的栅氧化层(10)连接两个N型接触区(13)并覆盖部分N型接触区(13)，栅极多晶(11)覆盖全部的栅氧化层(10)；nMOS源电极(40)位于左侧N型接触区(13)上方，nMOS漏电极(41)位于右侧N型接触区(13)上方，nMOS的栅电极(42)位于栅极多晶(11)上方；

LIGBT管(105)包括：在顶层硅(16)上通过离子注入和扩散形成的P型阱区(1)、N型阱区(2)和N型漂移区(4)，P型阱区(1)表面有离子注入形成的重掺杂P型接触区(12)和重掺杂N型接触区(13)，N型阱区(2)表面有离子注入形成的重掺杂P型接触区(12)；在P型阱区(1)和部分N型漂移区(4)表面热生长分别形成栅氧化层(10)和场氧化层(7)，栅氧化层(10)左侧覆盖一部分P型阱区(1)中的重掺杂N型接触区(13)，右侧连接到场氧化层(7)，场氧化层(7)为部分场氧，栅极多晶(11)位于栅氧化层(10)之上并一直向右延伸，覆盖一部分场氧化层(7)；LIGBT发射极(43)位于P型阱区(1)内P型接触区(12)和N型接触区(13)上方、并将P型接触区(12)和N型接触区(13)短接，LIGBT集电极(44)位于N型阱区(2)内P型接触区(12)上方，LIGBT的栅电极(45)位于栅极多晶(11)上方；

所述pLDMOS管(101)中，在N型阱区(2)底部靠近埋氧化层(8)处、N型阱区(2)中P型接触区(12)和N型接触区(13)的下方通过离子注入形成高浓度N型埋层(6)；

所述nLDMOS管(102)中，在P型阱区(1)底部靠近埋氧化层(8)处、P型阱区(1)中P型接触区(12)和N型接触区(13)的下方通过离子注入形成高浓度P型埋层(5)；

所述pMOS管(103)中，在N型阱区(2)底部靠近埋氧化层(8)处通过离子注入形成高浓度N型埋层(6)；

所述nMOS管(104)中，在P型阱区(1)底部靠近埋氧化层(8)处通过离子注入形成高浓度P型埋层(5)；

所述LIGBT管(105)中，在P型阱区(1)底部靠近埋氧化层(8)处、P型阱区(1)中P型接触区(12)和N型接触区(13)的下方通过离子注入形成高浓度P型埋层(5)；

所述高浓度P型埋层(5)的浓度大于P型阱区(1)的浓度，所述高浓度N型埋层(6)的浓度大于N型阱区(2)的浓度。