[发明专利]图像传感器有效

专利信息
申请号: 202110501366.7 申请日: 2021-05-08
公开(公告)号: CN113055617B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 李扬;马成;刘洋;刘芳园 申请(专利权)人: 长春长光辰芯微电子股份有限公司;杭州长光辰芯微电子有限公司
主分类号: H04N25/76 分类号: H04N25/76;H04N25/77;H04N25/53;H04N25/51
代理公司: 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 代理人: 高一明;郭婷
地址: 130000 吉林省长春市经济技术开发区*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括像素读出结构和像素读出电路,所述像素读出电路包括隔直电容,所述像素读出结构包括至少两个相同的子像素单元,所述子像素单元包括电荷曝光转移结构,其特征在于,所述子像素单元还包括电容反馈跨导放大器,所述电容反馈跨导放大器包括积分电容、初始化晶体管和源极跟随器,所述隔直电容的一端与所述电荷曝光转移结构耦接,另一端与所述源极跟随器的栅极耦接,用于阻隔直流;所述源极跟随器的源极接入基准电压,所述源极跟随器的漏级作为信号输出端;所述积分电容的两端分别与所述源极跟随器的栅极和漏级耦接,用于对所述源极跟随器将要输出的信号进行积分放大;所述初始化晶体管的源极和漏级分别与所述积分电容的两端耦接,用于对所述积分电容进行复位。

2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素读出电路还包括与所述子像素单元数量相同的负载电流源,所述负载电流源与所述源极跟随器耦接,用于为所述源极跟随器提供偏置电流。

3.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述像素读出电路还包括与各子像素单元中的源极跟随器耦接的可编程增益放大器,各源极跟随器将信号输出至所述可编程增益放大器,通过所述可编程增益放大器对各路信号进行加和放大输出。

4.如权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,所述像素读出电路进一步包括采样保持电路和A/D转换器,所述可编程增益放大器耦接、所述采样保持电路与所述A/D转换器依次耦接,经所述可编程增益放大器加和放大的信号通过所述采样保持电路进行模拟采样并读出,再通过所述A/D转换器进行数字转换。

5.如权利要求1~4中任一项所述的图像传感器,其特征在于,所述电荷曝光转移结构包括像素全局复位晶体管、光电二极管、存储节点、第一电荷转移晶体管、第二电荷转移晶体管、浮动扩散节点和浮动扩散节点复位晶体管;所述像素全局复位晶体管的源极接入供电电压,所述像素全局复位晶体管的漏极耦接于所述第一电荷转移晶体管的源极,所述第一电荷转移晶体管的漏级与所述第二电荷转移晶体管的源极连接,所述第二电荷转移晶体管的漏级与所述浮动扩散节点耦接,所述浮动扩散节点复位晶体管的源极接入供电电压,所述浮动扩散节点复位晶体管的漏级与所述浮动扩散节点耦接,所述浮动扩散节点与所述隔直电容的一端耦接,所述光电二极管耦接于所述像素全局复位晶体管与所述第一电荷转移晶体管之间,所述存储节点耦接于所述第一电荷转移晶体管与所述第二电荷转移晶体管之间。

6.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述源极跟随器选用低阈值低噪声类型晶体管。

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