[发明专利]显示面板有效
申请号: | 202110501820.9 | 申请日: | 2021-05-08 |
公开(公告)号: | CN113299703B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 彭久红 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司;武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
像素定义层,所述像素定义层设置于所述基板一侧,所述像素定义层包括像素开口区和非像素开口区;
发光层,所述发光层设置于所述像素开口区内;
阴极层,所述阴极层包括黑色阴极层,所述黑色阴极层覆盖所述非像素开口区,所述黑色阴极层用于吸收光;
所述阴极层还包括半透明阴极层和透明阴极层,所述半透明阴极层覆盖所述非像素开口区,所述透明阴极层覆盖所述半透明阴极层和所述发光层,所述黑色阴极层覆盖位于所述非像素开口区的透明阴极层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述半透明阴极层的厚度为5纳米-10纳米,所述黑色阴极层与所述半透明阴极层的反射光相位角为120°-240°。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述半透明阴极层的折射率大于所述透明阴极层的折射率,所述透明阴极层的折射率大于所述黑色阴极层的折射率。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述黑色阴极层的材料为CdGeP2、ZnGeP2和MnGeP2中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括封装层,所述封装层包括第一透镜层、第二透镜层和第三透镜层;其中,
所述第一透镜层覆盖所述像素开口区,且设置于所述阴极层远离所述发光层一侧,所述第二透镜层设置于所述第一透镜层远离所述阴极层一侧,所述第三透镜层设置于所述第二透镜层远离所述第一透镜层一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一透镜层包括多个第一透镜,所述第二透镜层包括多个第二透镜,所述第三透镜层包括多个第三透镜,所述第一透镜的直径大于所述第二透镜的直径,所述第二透镜的直径大于所述第三透镜的直径。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二透镜在所述第一透镜的表面为正交排列或六边形排列,所述第三透镜在所述第二透镜的表面为正交排列或六边形排列。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括驱动电路层,所述驱动电路层设置于所述基板与所述像素定义层之间。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括隔离柱,所述隔离柱设置于所述像素定义层远离所述驱动电路层一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的