[发明专利]存储器件、集成电路器件及形成方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

至少一个位线；

至少一个字线；以及

至少一个存储器单元，包括电容器和晶体管，

所述晶体管具有

栅极端子，耦合至所述字线；

第一端子，和

第二端子，

所述电容器具有

第一端，耦合至所述晶体管的所述第一端子，

第二端，耦合至所述位线；和

绝缘材料，位于所述第一端与所述第二端之间，并且被配置为在施加在所述第一端与所述第二端之间的预定击穿电压或更高击穿电压下击穿。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中

所述至少一个存储器单元被配置为存储具有以下任一项的数据：

第一值，对应于在所述预定击穿电压或更高击穿电压的先前施加下击穿的所述绝缘材料；以及

第二值，对应于尚未击穿的所述绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中

所述晶体管的所述第二端子接地。

4.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

控制器，通过所述至少一个位线和所述至少一个字线耦合至所述至少一个存储器单元，

其中，所述控制器被配置为在编程操作中，

经由所述至少一个字线向所述晶体管的所述栅极端子施加导通电压以使所述晶体管导通，并且

经由所述至少一个位线将编程电压施加至所述电容器的所述第二端，以在所述晶体管导通时在所述电容器的所述第一端与所述第二端之间施加所述预定击穿电压或更高击穿电压，以击穿所述电容器的所述绝缘材料。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中

所述控制器被配置为在读取操作中，

经由所述至少一个字线向所述晶体管的所述栅极端子施加所述导通电压以使所述晶体管导通，并且

经由所述至少一个位线将读取电压施加至所述电容器的所述第二端，以在晶体管导通时检测存储在所述至少一个存储器单元中的数据。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中

所述至少一个字线是多个字线，

所述至少一个存储器单元是多个存储器单元，

所述多个存储器单元的所述电容器的所述第二端共同耦合至所述至少一个位线，

所述多个存储器单元的所述晶体管的所述栅极端子对应地耦合至所述多个字线，并且

所述多个存储器单元的所述晶体管的所述第二端子接地。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中

所述至少一个位线是多个位线，

所述至少一个字线是多个字线，

至少一个存储器单元是多个存储器单元串，

所述多个存储器单元串中的每个串中的所述存储器单元的所述电容器的所述第二端共同耦合至所述多个位线中的对应位线，

所述多个存储器单元串中的每个串中的所述存储器单元的所述晶体管的所述栅极端子对应地耦合至多个字线，并且

所述多个存储器单元串中的所述存储器单元的所述晶体管的所述第二端子接地。

8.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

衬底，在上面具有所述晶体管；

至少一个金属层，位于所述衬底上方，所述至少一个金属层包括

所述至少一个位线；和

导电图案，与所述至少一个位线电隔离；

第一导电层，在所述衬底的厚度方向上位于所述至少一个金属层与所述衬底之间，所述第一导电层包括所述电容器的所述第一端；

第二导电层，在所述厚度方向上位于所述至少一个金属层与所述衬底之间，所述第二导电层包括所述电容器的所述第二端；以及

绝缘层，在所述厚度方向上位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，所述绝缘层包括所述电容器的所述绝缘材料。