[发明专利]半导体器件及其制造方法以及用于生成布局图的系统

说明书

一种半导体器件包括具有有源区的半导体衬底和设置在半导体衬底下方的第一掩埋金属层。该第一掩埋金属层包括第一掩埋导电轨、从第一掩埋导电轨延伸的第一组掩埋导电指和与第一组掩埋导电指交错的第二组掩埋导电指。第一组和第二组掩埋导电指在有源区中的多于一个下方延伸。以这种方式，第一组和第二组掩埋导电指可用于在具有减小的电阻的首标电路中分配不同电压，诸如非门控参考电压TVDD和门控参考电压VVDD。本发明的实施例还公开了制造半导体器件的方法以及用于生成布局图的系统。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法以及用于生成布局图的系统。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业已经生产了各种各样的模拟和数字器件，以解决许多不同领域中的问题。随着IC变得越来越小和越来越复杂，这些模拟和数字器件的工作电压降低了，从而影响这些数字器件的工作电压和整体IC性能。此外，由于泄漏电流，这些模拟和数字器件中的功耗可能增加。首标电路使用电源门控来关断提供给未使用的IC内电路的电源。降低首标电路的电阻具有降低IC整体功耗的益处。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括有源区，每个有源区具有在第一方向上延伸的长轴；第一掩埋金属层，位于半导体衬底下方并包括：第一掩埋导电轨，具有在第一方向上延伸的长轴；第一组掩埋导电指，从第一掩埋导电轨延伸，其中：第一组掩埋导电指中的每个掩埋导电指具有在第二方向上延伸的长轴，第二方向基本正交于第一方向；并且第一组掩埋导电指在有源区中的多于一个下方延伸；第二组掩埋导电指，其中：第二组掩埋导电指中的每个掩埋导电指具有在第二方向上延伸的长轴；第二组掩埋导电指在有源区中的多于一个下方延伸；并且第二组掩埋导电指与第一组掩埋导电指交错。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：形成有源区，其中，有源区中的每个有源区具有长轴，长轴在半导体衬底上在第一方向上延伸；形成具有在第一方向上延伸的长轴的第一掩埋导电轨；以及形成从第一掩埋导电轨延伸的第一组掩埋导电指；第一组掩埋导电指中的每个掩埋导电指具有在第二方向上延伸的长轴，第二方向基本正交于第一方向；并且第一组掩埋导电指在有源区中的多于一个下方延伸；以及形成第二组掩埋导电指；第二组掩埋导电指中的每个掩埋导电指具有在第二方向上延伸的长轴；第二组掩埋导电指在有源区中的多于一个下方延伸；并且第二组掩埋导电指与第一组掩埋导电指交错。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种用于生成布局图的系统，包括：至少一个处理器；至少一个非暂时性计算机可读介质，存储计算机可执行代码；其中，至少一个非暂时性计算机可读存储介质、计算机程序代码和至少一个处理器被配置为使系统生成布局图，生成布局图包括：生成有源区形状，有源区形状中的每个有源区形状具有在半导体衬底形状上在第一方向上延伸的长轴；生成具有在第一方向上延伸的长轴的第一掩埋导电轨形状；生成从第一掩埋导电轨形状延伸的第一组掩埋导电指形状；第一组掩埋导电指形状中的每个掩埋导电指形状具有在第二方向上延伸的长轴，第二方向与第一方向基本正交；第一组掩埋导电指形状在有源区形状中的多于一个下方延伸；以及生成第二组掩埋导电指形状；第二组掩埋导电指形状中的每个掩埋导电指形状具有在第二方向上延伸的长轴；第二组掩埋导电指形状在有源区形状中的多于一个下方延伸；并且第二组掩埋导电指形状与第一组掩埋导电指形状交错。

附图说明

当与附图一起阅读时，根据以下详细描述可最好地理解本发明的各方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种部件未按比例绘制。实际上，为论述清楚，各种部件的尺寸可任意增加或减少。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体器件的框图。

图2A是根据一些实施例的电路图。

图2B是根据一些实施例的布局图。

图2C至图2D是根据一些实施例的与图2B有关的对应布局图。

图2E是根据一些实施例的与图2C至图2D有关的截面。