[发明专利]高K介质层修复方法在审
| 申请号： | 202110504592.0 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113394075A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 姜兰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 修复 方法 | ||
1.一种高K介质层修复方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，提供一衬底；
S2，在衬底上生长超薄界面层；
S3，在超薄界面层上沉积高K介质层；
S4，在预设温度下采用等离子氧化修复高K介质层；
其中，所述预设温度小于500摄氏度。
2.如权利要求1所述的高K介质层修复方法，其特征在于：所述衬底为硅衬底。
3.如权利要求1所述的高K介质层修复方法，其特征在于：所述超薄界面层厚度范围为5埃～10埃。
4.如权利要求1所述的高K介质层修复方法，其特征在于：所述超薄界面层采用原位水蒸气氧化法或化学氧化法形成。
5.如权利要求1所述的高K介质层修复方法，其特征在于：所述高K介质层采用原子层沉积法形成，沉积采用的前驱体为四氯化铪。
6.如权利要求1所述的高K介质层修复方法，其特征在于：所述高K介质层是氧化铪。
7.如权利要求1所述的高K介质层修复方法，其特征在于：所述高K介质层厚度范围为10埃～40埃。
8.如权利要求1所述的高K介质层修复方法，其特征在于：所述高K介质层厚度为20埃。
9.如权利要求1-8所述的高K介质层修复方法，其特征在于,实施步骤S4时，等离子氧化条件包括：
温度范围为200摄氏度～400摄氏度，时间范围为10秒-300秒，压力范围为10毫托-30毫托，等离子氧化作业模式为持续模式，射频功率范围为150瓦～1900瓦，氧气流量范围为150毫升/分钟～300毫升/分钟,氧气和氦气的比例范围为100％-10％。
10.如权利要求9所述的高K介质层修复方法，其特征在于,等离子氧化条件为
温度为400摄氏度，时间范围为10秒，压力范围为20毫托，等离子氧化作业模式为持续模式，射频功率范围为150瓦，氧气流量范围为300毫升/分钟,氧气和氦气的比例范围为50％：50％。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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