[发明专利]一种用于电致发光器件的核壳结构量子点及其制备方法、电致发光器件

说明书

本申请提供一种用于电致发光器件的核壳结构量子点及其制备方法、电致发光器件，核壳结构量子点包括核体、表面壳层，所述表面壳层为ZnS_1‑xO_x，其中，0.1≤x≤0.9；本申请的核壳量子点可以显著提升由其制备的电致发光器件的电流密度、亮度、EQE。

技术领域

本申请属于纳米技术领域，具体涉及一种用于电致发光器件的核壳结构量子点及其制备方法、电致发光器件。

背景技术

量子点电致发光器件(Quantum dot light-emitting diode，QLED)是一种电直接激发量子点发光的器件。与传统的有机发光器件(OLED)相比，QLED具有更优异的色纯度、亮度、更大的色域等特点。量子点可分散于有机溶剂，可采用喷墨打印、旋涂、刮涂等方法制造发光薄膜，适用于不同尺寸的面板。因此，QLED市场前景十分可观。

常见的QLED一般自下而上依次包含阳极、空穴传输层、量子点电致发光层、电子传输层、阴极的结构，外电路通过阴极、阳极分别向器件内注入电子和空穴，注入的载流子通过电子传输层和空穴传输层到达发光层复合发光。现有QLED的电子传输层采用氧化锌，电子迁移速度快，空穴传输层采用有机材料，空穴迁移速度慢，导致量子点电致发光层中注入的电子和空穴不平衡，带来了效率低、亮度小的缺陷。所以我们亟需优化量子点，改变其导电性，使得电子和空穴获得更好的复合，从而全面提升QLED的性能。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种核壳结构量子点，包括核体、表面壳层，所述表面壳层为ZnS_1-xO_x，其中，0.1≤x≤0.9。

进一步地，所述ZnS_1-xO_x中，x介于0.1与0.5之间。

进一步地，氧元素在所述核壳结构量子点中的质量百分含量不超过1％。

进一步地，所述表面壳层上连接表面配体，所述表面配体包含巯基、羧基、胺基、酰胺、有机膦、有机酯中的至少一种。

本申请还提供一种用于电致发光器件的核壳结构量子点的制备方法，包括步骤：

在一定温度下，将包含氧气的气体通入包含初始量子点的分散液中，以反应形成核壳结构量子点，其中，所述初始量子点包括核体以及包覆于所述核体外的ZnS壳层，所述核壳结构量子点包括核体、表面壳层，所述表面壳层为ZnS_1-xO_x，其中，0.1≤x≤0.9。

进一步地，所述气体为空气。

进一步地，所述气体的流速为0.1～1L/min；优选为0.2～0.5L/min。

进一步地，所述温度为20～100℃，优选为30～60℃。

进一步地，所述分散液还包含非配位溶剂，所述非配位溶剂包含脂肪烃、芳香烃中的至少一种；

优选地，所述初始量子点在所述分散液中的浓度为10～50mg/mL。

本申请还提供一种电致发光器件，包括量子点发光层，所述量子点发光层包括如上述的用于电致发光器件的核壳结构量子点，或者包括由上述的用于电致发光器件的制备方法获得的核壳结构量子点。

有益效果：

(1)本申请的核壳结构量子点包括核体、表面壳层，所述表面壳层为ZnS_1-xO_x，其中，0.1≤x≤0.9，该结构可以有效增强核壳结构量子点的导电性，由其制备得到的电致发光器件的亮度、EQE都获得很大提升；