[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 202110509144.X 申请日: 2021-05-11
公开(公告)号: CN113253503B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 周世新 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1337
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 吕姝娟
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制作方法 显示装置
【说明书】:

发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板包括显示区以及围绕显示区的非显示区;显示面板还包括第一基板、第一变形层以及第一配向层;其中,第一变形层设置于第一基板上并用于产生可逆形变,且第一变形层至少位于非显示区靠近显示区的一侧;第一配向层设置于第一基板以及第一变形层上。本发明可以提高第一配向层的材料的扩散性,进而可以提高第一配向层的成膜均一性,提高了显示面板的显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、及具有该显示面板的显示装置。

背景技术

在液晶显示技术中,液晶配向技术为决定液晶显示设备所显示画面质量的关键技术之一。唯有液晶显示面板内液晶材料具有稳定且均匀的初始排列,才能呈现高质量的画面。传统的液晶显示设备内都具有用来诱导液晶分子定向排列的膜层,称为液晶配向层(Alignment Layer,AL)。在制备过程中,常利用摩擦法(Rubbing Method)使液晶分子得以均匀排列,例如使用聚亚酰胺层(Polyimide,PI)经过机械性摩擦以产生平行排列的微沟槽,通过沟槽即可达到液晶分子的定向排列。然而,由于摩擦法制造液晶配向层时会产生静电与微尘,进而破坏薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)或是造成液晶材料的污染,因而降低液晶显示设备的质量。此外,摩擦法也需要多道制备程序并使得制造时间及成本的增加。

因此,目前有一种不需聚亚酰胺配向层的技术,称为PI-less技术,其是将液晶材料混合配向材料并设置于两组基板之间,再通过光照使配向材料产生聚合,并在两组基板所接触液晶层的表面上形成高分子配向层,即可达到液晶分子的定向。

但是,在PI-less制程中,配向材料在显示面板的边框区靠近显示区的位置,容易出现扩散不均的现象,进而使得配向层膜厚不均或不能完全成膜,进而造成配向不良、面板电性差等问题。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,能够提高添加剂材料的扩散性,进而提高配向层的成膜均一性,提高显示面板的显示效果。

本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区以及围绕所述显示区的非显示区;

所述显示面板还包括:

第一基板;

第一变形层,设置于所述第一基板上并用于产生可逆形变,且所述第一变形层至少位于所述非显示区靠近所述显示区的一侧;以及

第一配向层,设置于所述第一基板以及所述第一变形层上。

在本发明的一种实施例中,所述第一变形层包括设置于所述第一基板上的弹性层以及设置于所述弹性层远离所述第一基板一侧的磁响应层,所述磁响应层用于根据磁场变化控制所述弹性层产生可逆形变。

在本发明的一种实施例中,所述弹性层的材料包括弹性体材料以及交联剂,所述弹性体材料与所述交联剂的质量比为20:1至70:1。

在本发明的一种实施例中,所述磁响应层内分布有磁体,所述磁体占所述磁响应层的质量占比为60%至90%。

在本发明的一种实施例中,所述磁体具有铁磁性,且所述磁体包括微米级铁颗粒、微米级四氧化三铁颗粒、微米级氧化钻颗粒以及微米级三氧化二锰颗粒中的至少一者。

在本发明的一种实施例中,所述第一变形层还包括设置于所述磁响应层与所述第一配向层之间的滑动层,所述滑动层包括三氯(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)硅烷基结构。

在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括与所述第一基板相对设置的第二基板、设置于所述第二基板上的第二变形层以及第二配向层,所述第二配向层设置于所述第二基板以及所述第二变形层上,且所述第一变形层与所述第二变形层隔着所述第一配向层以及所述第二配向层相对设置。

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