[发明专利]半导体制造技术

说明书

本发明一些实施例提供一种半导体制造技术。所述技术包含如下操作。接纳具有第一材料及第二材料的半导体结构。所述第一材料对第一蚀刻化学物具有第一孕育时间。所述第二材料对所述第一蚀刻化学物具有第二孕育时间。所述第一孕育时间比所述第二孕育时间短。由所述第一蚀刻化学物对所述半导体结构执行第一主蚀刻达第一持续时间。所述第一持续时间大于所述第一孕育时间且比所述第二孕育时间短。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术。

背景技术

在干式蚀刻中，等离子体或蚀刻剂气体移除衬底上的材料。可利用粒子束的高动能、化学反应或两者的组合完成发生的反应。

干式蚀刻可包含物理组件及化学成分。物理组件需要高动能粒子或离子束以轰击表面原子。在高能粒子从表面击落原子时，材料变成气相且在离开表面之后蒸发。相比之下，化学成分使用蚀刻剂气体与表面材料之间的化学反应。随后可从蚀刻腔室移除化学反应的产物。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体制造技术，其包括：接纳具有第一材料及第二材料的半导体结构，所述第一材料对第一蚀刻化学物具有第一孕育时间(incubation time)，所述第二材料对所述第一蚀刻化学物具有第二孕育时间，且所述第一孕育时间比所述第二孕育时间短；及由所述第一蚀刻化学物对所述半导体结构执行第一主蚀刻达第一持续时间；其中所述第一持续时间大于所述第一孕育时间且比所述第二孕育时间短。

本发明的实施例涉及一种半导体制造技术，其包括：接纳具有第一材料及第二材料的半导体结构，在第一蚀刻化学物下，所述第一材料具剖面图有第一孕育时间且所述第二材料具有大于所述第一孕育时间的第二孕育时间；预处理所述半导体结构；及在预处理所述半导体结构之后，在所述第一蚀刻化学物下对所述半导体结构执行第一主蚀刻达一持续时间。

本发明的实施例涉及一种半导体制造技术，其包括：接纳具有第一材料的半导体结构；在第一蚀刻化学物下对所述半导体结构执行多个第一主蚀刻达多个第一持续时间；及执行多个泵取操作达多个泵取持续时间，所述泵取操作中的每一者在所述第一主蚀刻中的每一者之前；其中所述第一持续时间中的每一者在从约1秒到约2.5秒的范围中。

附图说明

当结合附图阅读时从以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种结构未按比例绘制。事实上，为了清楚论述起见，可任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1说明根据本发明的一些实施例的半导体制造技术的流程图。

图2A说明根据本发明的一些实施例的在执行半导体制造技术时的中间半导体结构的剖面图。

图2B说明根据本发明的一些实施例的在执行半导体制造技术时的中间半导体结构的剖面图。

图2C说明根据本发明的一些实施例的在执行半导体制造技术时的中间半导体结构的剖面图。

图2D说明根据本发明的一些实施例的在执行半导体制造技术时的中间半导体结构的剖面图。

图2E说明根据本发明的一些实施例的在执行半导体制造技术时的中间半导体结构的剖面图。

图3说明根据本发明的一些实施例的展示不同材料物种的相对于蚀刻持续时间的蚀刻量的图式。

图4A说明根据本发明的一些实施例的在执行半导体制造技术时的中间半导体结构的剖面图。

图4B说明根据本发明的一些实施例的在执行半导体制造技术时的中间半导体结构的剖面图。

图4C说明根据本发明的一些实施例的在执行半导体制造技术时的中间半导体结构的剖面图。

图4D说明根据本发明的一些实施例的在执行半导体制造技术时的中间半导体结构的剖面图。