[发明专利]一种永磁同步电机续流储能消磁装置及其实现方法

说明书

本发明公开了一种永磁同步电机续流储能消磁装置及其实现方法，装置在现有永磁同步电机的功率驱动模块基础上，增设续流储能模块和统一为对储能电容电压变化监测消磁完成情况的监测模块；续流储能模块包括MOS管Q7、二极管VD及储能的电容C2；二极管VD以正向跨接在电源正极至功率驱动模块供电的母线之间；电容C2负极与电源VDC正极相接，MOS管Q7漏极与电容C2正极相接，源极与二极管VD阴极相接，栅极与单片机相接；单片机A/D输入与监测模块输出相接，通过监测模块直接从电容C2两端釆样电压变化，或间接从电容C2正极至电源负极之间获取电压，以稳压管稳压降低电源电压对釆样精度的影响后采样电压变化。

技术领域

本发明涉及永磁同步电机的技术领域，具体地讲涉及三相定子绕组星形接法的永磁同步电机停机续流储能消除剩磁的装置及其实现方法。

背景技术

一、在介绍背景技术之前，本申请人首先对与现有技术中相关联的主要器件有关特性基础理论进行说明：

⑴ 对于MOS管阐述如下：

对于大功率MOS管来说，MOS管的漏极(D)和源极(S)之间存在由生产工艺造成的寄生二极管(体二极管)，寄生二极管的作用：当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管(起到保护MOS管的作用)；大功率MOS管用于三相永磁同步电机的功率驱动模块中功率桥臂时，其寄生二极管与外接的用于续流的二极管共同(当寄生二极管完全能够承担所通续流大小时，可以不增加外接的用于续流的二极管)完成：电机正常运转时从通电切换为断电的相及停机时切断的通电相，产生的反向电动势续流、消磁；

MOS管分为N沟道和P沟道两种，NMOS管寄生二极管的正极在源极(S)上,负极在漏极(D)上,而PMOS管寄生二极管的正极在漏极(D)上,负极在源极(S)上；NMOS管和PMOS管当作开关使用时,其电流方向是不一样的：NMOS管当作开关使用时，电流ID的方向由漏极(D)指向源极(S)；PMOS管当作开关使用时，电流ID的方向由源极(S)指向漏极(D)；

MOS管与三极管不同,是可以反向导通的；MOS管栅极(G)与源极(S)之间控制电压满足导通条件时,电流ID可以从漏极(D)流向源极(S)，电流ID也可以从源极(S)流向漏极(D)，其电流ID方向取决于加于漏极(D)与源极(S)之间电压的方向，具体是：

① 对于NMOS管：当加于漏极(D)与源极(S)之间电压的方向指向源极(S)，是做为开关使用，电流ID的方向由漏极(D)指向源极(S)，此时仅当MOS管栅极(G)与源极(S)之间控制电压满足导通条件时,NMOS管才能够导通，否则NMOS管截止；当加于漏极(D)与源极(S)之间电压的方向指向漏极(D)时，经NMOS管的寄生二极管导通直接形成方向从源极(S)指向漏极(D)的电流ID，并在寄生二极管上产生0.7V左右的导通压降，此时若MOS管栅极(G)与源极(S)之间控制电压满足导通条件时,NMOS管导通，将导通的寄生二极管短接，使经寄生二极管导通产生的电流ID从NMOS管控制的导通通路流过，从而仅是使寄生二极管上不产生功耗，故，由于NMOS管中寄生二极管的存在，所以当加于漏极(D)与源极(S)之间电压的方向指向漏极(D)时，不管MOS管栅极(G)与源极(S)之间控制电压是否满足导通条件，均有方向从源极(S)指向漏极(D)的电流ID存在；