[发明专利]进气结构和半导体工艺设备

权利要求书

1.一种进气结构，用于向半导体工艺设备的化学气相沉积外延工艺腔室（300）通入气体，其特征在于，所述进气结构包括进气座（100）和进气插件（200）；其中，

所述进气座（100）为同一材料一体成型，包括多个气流分配腔（110）、多组气流分配孔（120）和多组进气道（130），多组所述进气道（130）相互平行；

每个所述气流分配腔（110）对应至少一组所述气流分配孔（120），并通过所述气流分配孔（120）与至少一组所述进气道（130）连通，且所述气流分配孔（120）与所述气流分配腔（110）和所述进气道（130）一体成型；

所述进气插件（200）的进气端与所述进气道（130）连通，所述进气插件（200）的出气端与所述化学气相沉积外延工艺腔室（300）连通，气流沿所述进气插件（200）的进气方向平行进入所述化学气相沉积外延工艺腔室；

所述气流分配孔（120）的进气方向垂直于所述进气道（130）的进气方向，且所述进气道（130）中与所述气流分配孔（120）相对的通道壁为平面，所述进气座（100）还具有保护气通道（140），所述保护气通道（140）位于所述进气座（100）的两侧，

所述进气插件（200）具有第一气路（210）和第二气路（220），所述第一气路（210）的进气端与多组所述进气道（130）连通，所述第一气路（210）的出气端与所述化学气相沉积外延工艺腔室（300）连通；所述第二气路（220）位于所述进气插件（200）的两侧，且所述第二气路（220）的进气端与所述保护气通道（140）连通，所述第二气路（220）的出气端与所述化学气相沉积外延工艺腔室（300）连通；所述第一气路（210）用于向所述化学气相沉积外延工艺腔室（300）内通入反应气体，所述第二气路（220）用于向所述化学气相沉积外延工艺腔室（300）内通入保护气体，以通过所述保护气体隔绝所述反应气体和所述化学气相沉积外延工艺腔室（300）的侧壁。

2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，多组所述进气道（130）均匀分布于所述进气插件（200）的进气端，且所述进气道（130）的进气方向与所述进气插件（200）的进气方向相同。

3.根据权利要求2所述的进气结构，其特征在于，多个所述气流分配腔（110）、多组所述进气道（130）和多组所述气流分配孔（120）均关于所述进气插件（200）的进气端的中心轴呈对称分布。

4.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述进气座（100）还包括多个进气口（150），每个所述进气口（150）对应至少一个所述气流分配腔（110）。

5.根据权利要求4所述的进气结构，其特征在于，所述进气座（100）还包括多个气流分配管道（160），每个所述气流分配管道（160）的两端分别连通一个所述气流分配腔（110），每个所述气流分配管道（160）的中部与一个所述进气口（150）连通，且所述气流分配管道（160）关于所述进气插件（200）的进气端的中心轴呈对称分布。

6.根据权利要求5所述的进气结构，其特征在于，所述气流分配管道（160）与所述气流分配腔（110）的连通方向和所述气流分配腔（110）与所述气流分配孔（120）的连通方向相互垂直。

7.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，每组所述气流分配孔（120）中对应所述气流分配腔（110）中部区域的所述气流分配孔（120）的孔径大于对应所述气流分配腔（110）边缘区域的气流分配腔（110）的孔径。

8.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至7中任意一项所述的进气结构。