[发明专利]实现离子阵列的方法、装置、计算机存储介质及终端有效
申请号: | 202110513486.9 | 申请日: | 2021-05-11 |
公开(公告)号: | CN113191009B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 段路明;吴宇恺 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G16C10/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李丹;栗若木 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 实现 离子 阵列 方法 装置 计算机 存储 介质 终端 | ||
1.一种实现离子阵列的方法,包括:
确定高维离子阵列随温度发生离子交换或整体构型变化的概率信息;
根据确定的概率信息,获取一个小于预设阈值的概率对应的温度值;
根据获取的温度值确定离子阱工作的环境温度,以使离子阱在确定的工作的环境温度获得高维离子阵列;其中,所述确定高维离子阵列随温度发生离子交换或整体构型变化的概率信息,包括:
根据所述高维离子阵列发生所述离子交换或所述整体构型变化的势垒高度与发生所述离子交换或所述整体构型变化的温度,计算所述概率信息;
所述确定高维离子阵列随温度发生离子交换或整体构型变化的概率信息之前,所述方法还包括:
通过对所述高维离子阵列运动的数值仿真,确定所述势垒高度ΔE;
所述概率信息p基于以下公式计算获得:
其中,kB是玻尔兹曼常数,kB≈1.381×10-23焦/开尔文;ΔE是发生离子交换或整体构型变化的势垒高度;T表示所述发生所述离子交换或所述整体构型变化的温度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取一个小于预设阈值的概率对应的温度值,包括:
从所述小于预设阈值的概率对应的温度值中,选择最高的一个作为所述温度值;或者,
从所述小于预设阈值的概率对应的温度值中,在预设范围内随机选择一个作为所述温度值。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述势垒高度ΔE的近似公式为:
其中,M为所述高维离子阵列中的离子的质量,m是引起所述高维离子阵列中的离子发生碰撞的背景气体分子的质量,kC是库伦常数,kC≈9.0×109库仑平方分之牛顿乘米平方N·m2/C2是库仑常数,ωs是所述高维离子阵列频率最低的振动模式的角频率。
4.根据权利要求1~2任一项所述的方法,其特征在于,所述高维离子阵列,包括:
二维离子阵列、和/或三维离子阵列。
5.一种计算机存储介质,所述计算机存储介质中存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1~4中任一项所述的实现离子阵列的方法。
6.一种终端,包括:存储器和处理器,所述存储器中保存有计算机程序;其中,
处理器被配置为执行存储器中的计算机程序;
所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1~4中任一项所述的实现离子阵列的方法。
7.一种实现离子阵列的装置,包括:确定概率单元、确定温度单元和处理单元;其中,
确定概率单元设置为:确定高维离子阵列随温度发生离子交换或整体构型变化的概率信息;
确定温度单元设置为:根据确定的概率信息,获取一个小于预设阈值的概率对应的温度值;
处理单元设置为:根据获取的温度值确定离子阱工作的环境温度,以使离子阱在确定的工作的环境温度获得高维离子阵列;其中,所述确定概率单元是设置为:
根据所述高维离子阵列发生所述离子交换或所述整体构型变化的势垒高度与发生所述离子交换或所述整体构型变化的温度,计算所述概率信息;
所述确定概率单元还设置为:通过对所述高维离子阵列运动的数值仿真,确定所述势垒高度ΔE;
所述概率信息p基于以下公式计算获得:
其中,kB是玻尔兹曼常数,kB≈1.381×10-23焦/开尔文;ΔE是发生离子交换或整体构型变化的势垒高度;T表示所述发生所述离子交换或所述整体构型变化的温度。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述确定温度单元是设置为:
从所述小于预设阈值的概率对应的温度值中,选择最高的一个作为所述温度值;或者,
从所述小于预设阈值的概率对应的温度值中,在预设范围内随机选择一个作为所述温度值。
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