[发明专利]一种射频功率检测电路有效
申请号: | 202110513915.2 | 申请日: | 2021-05-12 |
公开(公告)号: | CN112986669B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 丁川;姜丹丹;陶健;叶松;李中云;马文英 | 申请(专利权)人: | 成都信息工程大学 |
主分类号: | G01R21/06 | 分类号: | G01R21/06 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李蕊 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 功率 检测 电路 | ||
本发明公开了一种射频功率检测电路,包括:射频通道和射频功率检测通道;射频通道包括射频放大器、射频功率分配器和负载,射频放大器的输入端接入射频输入,输出端连接至射频功率分配器,射频功率分配器一路输出连接至负载,另一路输出连接至射频功率检测通道;射频功率检测通道包括匹配网络和自混频器,匹配网络的输入端连接至射频功率分配器的输出端、输出端连接至自混频器,自混频器输出检测电平,本发明电路结构简单,功耗低,克服了传统方式中为了实现较高线性度的功率检测,需要增加对数放大器的级数,镇流器需要同时对每一级对数放大器的输出进行镇流的问题,同时解决了传统方式因为电路复杂引入更多误差的问题,提高了检测精度。
技术领域
本发明涉及集成电路领域,具体涉及一种射频功率检测电路。
背景技术
传统发射功率检测电路如图4所示,射频放大器输出信号经过功率分配器后,一部分信号通过匹配网络输入对数放大器进行放大,实现对信号幅度的平方,然后经过镇流器和低通滤波器得到对数放大器输出信号的幅值,这种方式中,为了实现较高线性度的功率检测,需要增加对数放大器的级数,镇流器需要同时对每一级对数放大器的输出进行镇流,然后滤波后得到与发射信号成比例的电压值,电路复杂且电流消耗多。由于需要的电路更为复杂,因此引入的误差会更改多,检测精度相对较差。
发明内容
针对现有技术中的上述不足,本发明提供了一种射频功率检测电路。
为了达到上述发明目的,本发明采用的技术方案为:
一种射频功率检测电路,包括:射频通道和射频功率检测通道;
所述射频通道包括射频放大器、射频功率分配器和负载,所述射频放大器的输入端接入射频输入,输出端连接至所述射频功率分配器,所述射频功率分配器一路输出连接至负载,另一路输出连接至所述射频功率检测通道;
所述射频功率检测通道包括匹配网络和自混频器;所述匹配网络的输入端连接至射频功率分配器的输出端,输出端连接至所述自混频器;所述自混频器输出检测电平。
上述方案的有益效果是,克服了传统方式中,为了实现较高线性度到功率检测,需要增加对数放大器级数,同时需要镇流器对每一级的对数放大器进行镇流,使得电路结构更加简单,提高了检测精度,降低了因元器件过多所引入的检测误差。
进一步的,所述射频放大器用于对输入射频信号进行前级放大,包括差分输入对管M1和差分输入对管M2,其中,差分输入对管M1和差分输入对管M2的源极接地、栅极接入射频输入、漏极输出至所述射频功率分配器。
上述进一步方案的有益效果是,通过射频放大器起到将信号通路上的射频信号放大的作用。
进一步的,所述射频功率分配器用于调整输出至所述负载和所述射频功率检测通道的功率比值,包括第一晶体管组M3、第二晶体管组M4、第三晶体管组M5和第四晶体管组M6,其中,第一晶体管组M3、第二晶体管组M4、第三晶体管组M5和第四晶体管组M6中包括1个或者多个相同结构的晶体管单元;其中每个晶体管单元的源极接入射频放大器,漏极接入匹配网络,栅极通过控制信号控制其栅极连接至电源VDD或者接地。
上述进一步方案的有益效果是,通过功率分配器实现射频信号功率按比例分配,一部分功率分配至其它射频负载电路,一部分功率分配至射频功率检测通道。
进一步的,所述第一晶体管组M3和第二晶体管组M4中的晶体管单元数量相同,每组晶体管中晶体管单元的源极和漏极分别并联连接,第一晶体管组M3和第二晶体管组M4组成差分结构,用于控制输出至所述负载的功率,所述第一晶体管组M3的源极连接至M1的漏极,所述第二晶体管组M4的源极连接至差分输入对管M1漏极。
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