[发明专利]一种直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构

权利要求书

1.一种直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，包括上桥臂、下桥臂、底部基板(100)、外壳(400)、功率基板、驱动PCB板系统及相变散热装置，其中，外壳(400)扣合并固定于底部基板(100)上，功率基板固定于底部基板(100)上，相变散热装置固定于功率基板上，上桥臂、下桥臂及驱动PCB板系统均固定于相变散热装置上。

2.根据权利要求1所述的直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，驱动PCB板系统包括第一驱动PCB板(301)及第二驱动PCB板(302)；相变散热装置包括第一相变散热装置(130)及第二相变散热装置(140)；功率基板包括直流正极功率基板(110)及直流负极功率基板(120)；下桥臂包括第一功率半导体芯片(210)、第二功率半导体芯片(220)及第三功率半导体芯片(230)；下桥臂包括第四功率半导体芯片(240)、第五功率半导体芯片(250)及第六功率半导体芯片(260)；

直流正极功率基板(110)及直流负极功率基板(120)焊接于底部基板(100)上；

第一相变散热装置(130)焊接于直流正极功率基板(110)上，第二相变散热装置(140)焊接于直流负极功率基板(120)上；第一功率半导体芯片(210)、第二功率半导体芯片(220)及第三功率半导体芯片(230)焊接于第二相变散热装置(140)；第四功率半导体芯片(240)、第五功率半导体芯片(250)及第六功率半导体芯片(260)焊接于第一相变散热装置(130)上；

第一驱动PCB板(301)固定于第一相变散热装置(130)上，第二驱动PCB板(302)固定于第二相变散热装置(140)上。

3.根据权利要求2所述的直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，还包括第一直流电线路(270)、第一直流电支路(271)、第二直流电支路(272)、第三直流电支路(273)及交流电支路(280)；外壳(400)上设置有第二直流功率端子(402)、第一交流功率端子(403)及第二交流功率端子(404)；

第二直流功率端子(402)经直流正极功率基板(110)及第一相变散热装置(130)与第一直流电线路(270)的一端相连接，第一直流电线路(270)的另一端与第一直流电支路(271)的一端、第二直流电支路(272)的一端及第三直流电支路(273)的一端相连接，第一直流电支路(271)的另一端、第二直流电支路(272)的另一端及第三直流电支路(273)的另一端分别与第四功率半导体芯片(240)的一端、第五功率半导体芯片(250)的一端、第六功率半导体芯片(260)的一端相连接，第四功率半导体芯片(240)的另一端、第五功率半导体芯片(250)的另一端及第六功率半导体芯片(260)的另一端均与交流电支路(280)的一端相连接，交流电支路(280)的另一端与第一交流功率端子(403)及第二交流功率端子(404)相连接。

4.根据权利要求3所述的直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，还包括第二直流电线路(274)、第四直流电支路(275)、第五直流电支路(276)及第六直流电支路(277)；外壳(400)上设置有第一直流功率端子(401)；

第一交流功率端子(403)及第二交流功率端子(404)与第二直流电线路(274)的一端相连接，第二直流电线路(274)的另一端与第四直流电支路(275)的一端、第五直流电支路(276)的一端及第六直流电支路(277)的一端相连接，第四直流电支路(275)的另一端、第五直流电支路(276)的另一端及第六直流电支路(277)的另一端分别与第一功率半导体芯片(210)的一端、第二功率半导体芯片(220)的一端及第三功率半导体芯片(230)的一端相连接，第一直流功率端子(401)与第一功率半导体芯片(210)的另一端、第二功率半导体芯片(220)的另一端及第三功率半导体芯片(230)的另一端相连接。