[发明专利]一种复杂结构降压元件内外表面强化方法

权利要求书

1.一种复杂结构降压元件内外表面强化方法，其特征在于，以含Fe、Cr、Al、Ti及Si的有机化合物为前驱体，以去离子水、过氧化氢、氧气、臭氧或羟基甲烷为氧源，采用原子层沉积技术，高真空条件下在复杂结构降压原件内外表面沉积厚度为5μm以上的单层或双层氧化物复合结构薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种复杂结构降压元件内外表面强化方法，其特征在于，含Fe的有机化合物为2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸或二茂铁；含Cr的有机化合物为氯化铬酰或氯化铬晶体；含Al的有机化合物为三甲基铝、三乙基铝、三乙氧基铝或三氯化铝；含Ti的有机化合物为四异丙醇钛、叔丁醇钛、氯化钛、四(二甲基胺)钛或四(乙基甲基胺)钛；含Si的有机化合物为四氯化硅、正硅酸乙酯、四异氢酸硅或三异氢酸硅氧甲烷。

3.根据权利要求1所述的一种复杂结构降压元件内外表面强化方法，其特征在于，采用原子层沉积技术，在复杂结构降压原件内外表面沉积厚度为5μm以上的复合结构薄膜包括以下步骤：沉积温度为150～300℃，反应腔内气压为400～500mtorr后注入前驱体，注入时间为1.0～3.0s；随后注入载气进行冲洗，冲洗时间30～60s；最后注入氧源，注入时间为0.3～2.0s，在复杂结构降压原件内外表面沉积厚度为5μm以上的复合结构薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种复杂结构降压元件内外表面强化方法，其特征在于，沉积速率为

5.根据权利要求1所述的一种复杂结构降压元件内外表面强化方法，其特征在于，复杂结构降压原件为铜基、铝基、镍基、锌基、钛基合金或不锈钢。

6.根据权利要求1所述的一种复杂结构降压元件内外表面强化方法，其特征在于，复合结构薄膜为氧化铬、氧化铝、氧化钛、氧化铬或氧化铁，或者为氧化铝与氧化钛的复合结构薄膜、氧化铝与氧化硅复合结构薄膜中的一种。

7.根据权利要求1所述的一种复杂结构降压元件内外表面强化方法，其特征在于，沉积速率为

8.根据权利要求1所述的一种复杂结构降压元件内外表面强化方法，其特征在于，具体过程如下：

1)将复杂结构降压原件放入反应腔中，对反应腔抽真空，使反应腔的压力为400～500mtorr；

2)加热反应腔，使反应腔温度为150～300℃；

3)第五控制阀(10)打开1～3s，注入前驱体1.5s；第四控制阀(9)打开1～3s，完成后打开第一控制阀(6)通入氮气冲洗反应腔30～60s；第二控制阀(7)打开0.3～2s，注入氧源1.5s；打开第一控制阀(6)通入氮气冲洗反应腔30s；

4)重复步骤3)，直至达到氧化物薄膜层厚度要求。

9.根据权利要求8所述的一种复杂结构降压元件内外表面强化方法，其特征在于，进行步骤4)后进行以下步骤：

5)将制备好的单层薄膜的复杂结构降压原件烘干后放入反应腔，打开第六控制阀(11)打开1～3s；第三控制阀(8)打开1～3s，注入前驱体，然后打开第一控制阀(6)通入氮气冲洗反应腔30～60s；第二控制阀(7)打开0.3～1.5s，注入氧源，再打开第一控制阀(6)通入氮气冲洗反应腔30～60s；

6)重复步骤5)，直至达到膜层厚度要求。