[发明专利]干法刻蚀射频放电增强方法和干法刻蚀设备在审
| 申请号： | 202110514730.3 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113394091A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张杰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 射频 放电 增强 方法 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种干法刻蚀射频放电增强方法，其特征在于，包括：
采用射频源激发产生等离子体，在发生射频辉光放电同时，引入脉冲放电。
2.如权利要求1所述的干法刻蚀射频放电增强方法，其特征在于：射频辉光放电为连续模式时，能在任意时刻引入脉冲放电。
3.如权利要求1所述的干法刻蚀射频放电增强方法，其特征在于：射频辉光放电为脉冲调制模式时，在脉冲关闭时引入脉冲放电。
4.如权利要求1所述的干法刻蚀射频放电增强方法，其特征在于：所述脉冲放电的脉冲宽度范围100ns～1500ns。
5.一种用于执行权利要求1-4任意一项所述干法刻蚀射频放电增强方法中步骤的计算机可读存储介质。
6.一种干法刻蚀设备，其特征在于：其脉冲电源在其射频源发生射频辉光放电同时执行脉冲放电。
7.如权利要求6所述的干法刻蚀设备，其特征在于：射频辉光放电为连续模式时，其能在任意时刻引入脉冲放电。
8.如权利要求6所述的干法刻蚀设备，其特征在于：射频辉光放电为脉冲调制模式时，在脉冲关闭时引入脉冲放电。
9.如权利要求8所述的干法刻蚀设备，其特征在于：其脉冲电源脉冲宽度范围100ns到1500ns。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
