[发明专利]基于施密特触发电路的P型半堆叠式亚阈值标准单元

权利要求书

1.一种基于施密特触发电路的P型半堆叠式亚阈值标准单元，其特征在于包括上拉网络、下拉网络、栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组；

所述的上拉网络由n个PMOS管串联构成，n为大于等于2的整数，第1个PMOS管的源极连接到电源V_DD，第m个PMOS管的漏极和第m+1个PMOS管的源极连接且其连接端为所述的上拉网络的第m个堆叠节点Um，m＝1，2，…，n-1，第n个PMOS管的漏极为所述的上拉网络的输出端，第k个PMOS管的栅极为所述的上拉网络的第k个输入端，k＝1，2，…，n；

所述的下拉网络由n个NMOS管并联构成，n个NMOS管的漏极连接且其连接端为所述的下拉网络的输出端，n个NMOS管的源极均接地，第k个NMOS管的栅极为所述的下拉网络的第k个输入端；

所述的上拉网络的第k个输入端和所述的下拉网络的第k个输入端连接且其连接端为所述的P型半堆叠式亚阈值标准单元的第k个输入端，用于接入第k个输入信号Ink，所述的下拉网络的输出端和所述的上拉网络的输出端连接且其连接端为所述的P型半堆叠式亚阈值标准单元的输出端；

所述的栅极反馈PMOS堆叠模块由n-1个PMOS管构成，第m个PMOS管的栅极为所述的栅极反馈PMOS堆叠模块的第m个反馈端Pm，所述的栅极反馈PMOS堆叠模块具有n-1个栅极反馈端，所述的栅极反馈PMOS堆叠模块的n-1个栅极反馈端均与所述的P型半堆叠式亚阈值标准单元的输出端连接，第m个PMOS管的漏极为所述的栅极反馈PMOS堆叠模块的第m个输入端，所述的栅极反馈PMOS堆叠模块的第m个输入端与所述的上拉网络的第m个堆叠节点连接，第m个PMOS管的源极为所述的栅极反馈PMOS堆叠模块的第m个输出端Sm；

所述的并联NMOS模块组由n-1个结构不同的并联NMOS模块构成，其中第m个并联NMOS模块由m个NMOS管构成，第m个并联NMOS模块中，m个NMOS管的漏极连接且其连接端为第m个并联NMOS模块的输入端Qm，m个NMOS管的源极均接地，第j个NMOS管的栅极接入第j个输入信号Inj，j＝1，2，…，m，第m个并联NMOS模块的输入端Qm和所述的栅极反馈PMOS堆叠模块的第m个输出端Sm连接；

所述的上拉网络、所述的栅极反馈PMOS堆叠模块和所述的并联NMOS模块组构成的施密特触发电路。

2.根据权利要求1所述的一种基于施密特触发电路的P型堆叠式亚阈值标准单元，其特征在于所述的P型半堆叠式亚阈值标准单元的输出端连接有反相器，所述的反相器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述的第一PMOS管的源极接入电源，所述的第一PMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的栅极和所述的第二NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的反相器的输入端，所述的反相器的输入端和所述的P型半堆叠式亚阈值标准单元的输出端连接，所述的第一PMOS管的漏极、所述的第二PMOS管的源极和所述的第三PMOS管的源极连接，所述的第三PMOS管的漏极接地，所述的第二PMOS管的漏极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第三PMOS管的栅极和所述的第三NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的反相器的输出端，所述的第一NMOS管的源极、所述的第二NMOS管的漏极和所述的第三NMOS管的源极连接，所述的第三NMOS管的漏极接入电源，所述的第二NMOS管的源极接地。