[发明专利]基片液处理装置和基片液处理方法在审
申请号: | 202110515961.6 | 申请日: | 2021-05-12 |
公开(公告)号: | CN113690160A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 中岛干雄;田中明贤;绪方信博;宫本勋武 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基片液 处理 装置 方法 | ||
本发明提供有利于检测处理液的泄漏等不良情况的发生的基片液处理装置和基片液处理方法。基片液处理装置包括:供处理液流动的液配管;释放嘴,其释放经由液配管供给的处理液;阀机构,其调节液配管中的处理液的流动;和液检测传感器,其检测液配管中是否存在处理液。在阀机构工作以使液配管中的处理液位于比液配管的第一配管测量部位靠上游处的状态下,液检测传感器检测在位于第一测量点的第一配管测量部位是否存在处理液。
技术领域
本发明涉及基片液处理装置和基片液处理方法。
背景技术
在专利文献1公开的装置中,基于响应时间来测量流过供给路径的处理液的流量,当该流量的测量值大于阈值时,判断为在设置于供给路径的阀中发生处理液的泄漏。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第6059087号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供了一种有利于检测处理液的泄漏等不良情况的发生的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方面涉及一种基片液处理装置,包括:供处理液流动的液配管;释放嘴,其释放经由液配管供给的处理液;配管阀机构,其调节液配管中的处理液的流动;和液检测传感器,其检测液配管中是否存在处理液,在配管阀机构工作以使液配管中的处理液位于比液配管的第一配管测量部位靠上游处的状态下,液检测传感器检测在位于第一测量点的第一配管测量部位是否存在处理液。
发明效果
依照本发明,有利于检测处理液的泄漏等不良情况的发生。
附图说明
图1是表示处理系统的一例的概要的图。
图2是表示处理单元的一例的概要的图。
图3是例示处理腔室的内侧的一部分的状态的俯视图。
图4是例示供给管线的第一配管测量部位和液检测传感器的第一测量点的概要图。
图5是概要地例示液检测传感器与供给管线及摆动臂之间的相对位置的图。
图6是表示液检测传感器与供给管线及摆动臂之间的相对位置(横轴)、与由受光部测量的检测光的受光量(纵轴)之关系示例的图表。
图7是表示控制部的功能构成的一例的框图。
图8是表示泄漏检查流程的一例的图。
图9是表示阈值的决定流程的一例的图。
图10是表示基片液处理流程的一例的图。
图11是表示基片液处理流程的一例的图。
图12是用于说明第一变形例的异常检测方法的图。
图13是用于说明第一变形例的异常检测方法的图。
图14是用于说明第一变形例的异常检测方法的图。
附图标记说明
10 处理单元
15 释放嘴
16 供给管线
17 排液管线
28 阀机构
35 液检测传感器
93 控制部
M1 第一测量点
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造