[发明专利]一种量子点发光器件、显示装置和制作方法

说明书

本发明公开了一种量子点发光器件、显示装置和制作方法，包括：衬底基板；位于所述衬底基板一侧的阳极层；位于所述阳极层远离所述衬底基板一侧的空穴传输层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层，以及位于所述第一空穴传输层远离所述阳极层一侧的第二空穴传输层，其中，所述第二空穴传输层的HOMO能级，深于所述第一空穴传输层的HOMO能级；位于所述空穴传输层远离所述阳极层一侧的量子点膜层；位于所述量子点膜层远离所述空穴传输层一侧的阴极层。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种量子点发光器件、显示装置和制作方法。

背景技术

量子点是一种性能优异的半导体材料，具有很高的量子效率、窄的激发光谱、独特的尺寸依赖激发光谱和良好的溶液加工兼容性等优异特性,在高色彩质量显示方面有着巨大的应用潜力。基于量子点的电致发光二极管（Quantum dot light-emitting diode,QLED）是以量子点作为发光层的器件，与有机发光二极管相比有很大的优越性，是有机发光二极管的有力竞争。

近年来，随着量子点电致发光技术的不断发展，已经有少量相关的显示产品投入市场，但是距离大规模量产仍然有很远的距离。目前，在量子点图形化技术方面，可以采用的方法通常为喷墨打印的方式，但是由于打印设备昂贵，导致生产的成本高昂，而且喷墨打印由于受到设备的限制，其打印分辨率通常只能在350ppi以下，对于更高的分辨率，该方法则难以实现。因此，为了大面积生产量子点发光器件，寻找新的图形化方法具有十分重要的意义。但现有技术图案化形成的量子点发光器件中，存在发光效率低的问题。

发明内容

本发明提供一种量子点发光器件、显示装置和制作方法，以改善现有技术中量子点发光器件的发光效率低的问题。

本发明实施例提供一种量子点发光器件，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板一侧的阳极层；

位于所述阳极层远离所述衬底基板一侧的空穴传输层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层，以及位于所述第一空穴传输层远离所述阳极层一侧的第二空穴传输层，其中，所述第二空穴传输层的HOMO能级，深于所述第一空穴传输层的HOMO能级；

位于所述空穴传输层远离所述阳极层一侧的量子点膜层；

位于所述量子点膜层远离所述空穴传输层一侧的阴极层。

在一种可能的实施方式中，所述第二空穴传输层经氧气等离子处理或紫外臭氧处理形成；所述第二空穴传输层与所述第一空穴传输层直接接触，且所述第二空穴传输层在所述衬底基板的正投影与所述第一空穴传输层在所述衬底基板的正投影互相重合。

在一种可能的实施方式中，所述第二空穴传输层的HOMO能级深度沿着远离所述第一空穴传输层的方向递减。

在一种可能的实施方式中，所述第二空穴传输的氧含量沿着远离所述量子点膜层的方向递减。

在一种可能的实施方式中，所述空穴传输层的材料为无机半导体。

在一种可能的实施方式中，所述空穴传输层的材料包括NiO、WO₃、MnO、FeO、Cu₂O、CuGaO₂、CoO₂、CrO₂、MoO₃中一种或者多种。

在一种可能的实施方式中，还包括：位于所述量子点膜层与所述阴极层之间的材料为金属氧化物的电子传输层。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括多种出光颜色不同的量子点发光器件，其中，至少一种出光颜色的量子点发光器件包括如本发明实施例提供的所述量子点发光器件。

本发明实施例还提供一种量子点发光器件的制作方法，包括：