[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上沉积形成牺牲层；

利用Bosch工艺对所述牺牲层进行刻蚀形成电容孔，所述电容孔的侧壁在纵向上呈凹凸交替变化；

在所述电容孔内依次形成底电极层、介质层、顶电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述电容孔内依次形成底电极层、介质层、顶电极层，包括：

在所述电容孔内形成底电极层；

去除所述牺牲层；

在所述电极层表面形成介质层；

在所述介质层表面形成顶电极层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在沉积所述牺牲层之后，还包括：在所述牺牲层上形成支撑层；

则所述电容孔贯穿所述支撑层，所述底电极层覆盖所述支撑层的侧壁；去除所述牺牲层之前，还包括：对所述支撑层进行图案化得到贯穿所述支撑层的刻蚀孔图形；

所述去除所述牺牲层，包括：利用所述刻蚀孔图形去除所述支撑层下的牺牲层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述牺牲层内形成有至少一层支撑层，则所述电容孔贯穿所述支撑层，所述底电极层覆盖所述支撑层的侧壁，所述支撑层中还形成有纵向贯穿所述支撑层的刻蚀孔图形；

所述去除所述牺牲层，包括：去除所述支撑层上的牺牲层，并利用所述刻蚀孔图形去除所述支撑层下的牺牲层。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为多晶硅或非晶硅，所述支撑层的材料为氮化硅层。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述底电极层、所述介质层、所述顶电极层利用原子层沉积的方式形成。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述底电极和所述顶电极的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN的至少一种，所述介质层的材料包括氧化铪、氧化锆、氧化铝的至少一种。

8.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述衬底上形成有引线槽以及引线槽中的导体线，所述导体线上形成有刻蚀停止层，则在对所述牺牲层刻蚀形成电容孔后，形成所述底电极层之前，还包括：

去除所述电容孔底部的刻蚀停止层，以暴露所述导体线。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上的底电极层；所述底电极层为中空且上部开口的桶状结构，所述底电极层侧壁在纵向上呈凹凸交替变化；

所述底电极层表面依次形成有介质层和顶电极层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述桶状结构之间利用支撑层连接，所述支撑层沿所述衬底表面方向延伸。