[发明专利]一种用于抑制Cu/Sn焊点组织Cu3 有效
| 申请号： | 202110516997.6 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113192916B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 陈旸;陈奉锐;郑功;祁志祥;陈光 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;C23C14/16;C23C16/24;B23K31/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 抑制 cu sn 组织 base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种用于抑制Cu/Sn焊点组织Cu3Sn的表面形核方法，该Cu/Sn焊点的成分组成从上至下依次为Sn、Cu6Sn5、Cu3Sn、Cu，其特征在于，在Cu/Sn焊点侧壁表面沉积Si层，完全抑制组织Cu3Sn相的形核。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积厚度为10nm-200nm。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积法或物理气相沉积法在Cu/Sn焊点侧壁表面沉积Si层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，化学气相沉积法包括常压化学气相沉积、等离子体化学沉积、激光化学沉积、金属有机化合物沉积中任意一种。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，物理气相沉积法包括真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜、分子束外延中任意一种。
6.一种微泵铜柱焊点结构，该焊点为Cu/Sn焊点，其成分组成从上至下依次为Sn、Cu6Sn5、Cu3Sn、Cu，其特征在于，在Cu/Sn焊点侧壁表面设置Si层，完全抑制组织Cu3Sn相的形核。
7.如权利要求6所述的焊点结构，其特征在于，Si层厚度为10nm-200nm。
8.如权利要求6所述的焊点结构，其特征在于，采用化学气相沉积法或物理气相沉积法在Cu/Sn焊点侧壁表面设置Si层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110516997.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种负离子抗菌ES复合纤维及其制备方法
- 下一篇：一种定焦镜头
