[发明专利]黑腔内壁低密度金转化层的制备方法

权利要求书

1.一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

A、采用Au靶与活泼金属靶的双靶共溅方式在芯轴表面制备合金结构的内衬层，所述内衬层厚度为1～50μm，内衬层中Au含量为5～50at.％，其余为活泼金属，所述活泼金属包括Al、Cu或Ag中的一种；

B、采用溅射或电镀方式在步骤A制得的内衬层结构的表面制备纯金的支撑层，所述支撑层的厚度为10～50μm；

C、对步骤B制备的样品进行退火处理；

D、将步骤C获得的样品在电解质溶液中进行去芯轴和去合金化处理，清洗、烘干后得到内衬层为低密度金转化层的黑腔。

2.如权利要求1所述的一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法，其特征是：在步骤A中进行溅射之前，首先使溅射真空室的真空度达到1×10^-7Pa～1×10^-5Pa，然后充入高纯氩气，并使溅射真空室的真空度维持在0.1Pa～0.6Pa。

3.如权利要求2所述的一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法，其特征是：在步骤A中进行双靶共溅时，将1～12个芯轴放置于自转公转样品架，样品架公转中心到溅射靶中心的距离为80～150mm，样品架公转中心法线与溅射靶中心轴线呈30～45°夹角。

4.如权利要求1所述的一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法，其特征是：所述芯轴材料为Cu、Al、Ag或以上材料构成的合金，形状为圆柱型、多节圆柱型、球柱型、椭球柱形或任意两种及以上形状的组合。

5.如权利要求1所述的一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法，其特征是：在步骤C中进行退火处理时，背底真空优于1×10^-5Pa，在300℃～450℃下热处理24～144H，随后冷却至室温取出。

6.如权利要求1所述的一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法，其特征是：步骤D中的电解质溶液为硝酸溶液或其他腐蚀性溶液。

7.如权利要求1-6任意一项权利要求所述的一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法，其特征是：所述内衬层的合金结构采用Au层与活泼金属层交替设置的多层结构取代。

8.如权利要求7所述的一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法，其特征是：所述多层结构为10～20层，其中，活泼金属层的厚度不变，Au层厚度从内到外均匀递增。