[发明专利]本振泄露抑制电路和直接上变频发射机有效
申请号: | 202110517779.4 | 申请日: | 2021-05-12 |
公开(公告)号: | CN113300674B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 郑柏林;陈小元 | 申请(专利权)人: | 深圳市深精电科技有限公司 |
主分类号: | H03D7/18 | 分类号: | H03D7/18;H04B1/04 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 518126 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 泄露 抑制 电路 接上 变频 发射机 | ||
1.一种本振泄露抑制电路,其特征在于,包括:
有源双平衡混频器,其第一输入端和第二输入端连接电流源阵列,其基带信号第一观测点和第三观测点连接比较器第一输入端,其基带信号第二观测点和第四观测点连接比较器第二输入端,其射频信号第一观测点连接比较器第一输入端,其射频信号第二观测点连接比较器第二输入端;
其第一输出端还连接比较器第一输入端,其第二输出端还连接比较器第二输入端;
比较器,其输出端比较信号至时序控制逻辑单元;
时序控制逻辑单元,其还接收时钟信号,其内部状态机按设计时钟周期依次产生脉冲,所述脉冲信号和比较器做逻辑判断后,产生电流源阵列控制总线信号。
2.如权利要求1所述的本振泄露抑制电路,其特征在于,所述有源双平衡混频器包括:八个背栅晶体管;
第一、第三、第五和第七背栅晶体管的源极作为有源双平衡混频器第一输出端,第二、第四、第六和第八背栅晶体管的源极作为有源双平衡混频器第二输出端;
第一~第八背栅晶体管的背栅分别连接电源阵列;
第一~第八背栅晶体管的漏极分别连接电源阵列。
3.如权利要求1所述的本振泄露抑制电路,其特征在于,所述比较器包括:自动调零预放大器和动态比较器;
自动调零预放大器第一输入端和第四输入端连接公共电压,第二输入端作为比较器第一输入端,第四输入端作为比较器第二输入端;
自动调零预放大器第一输出端连接动态比较器第一输入端,自动调零预放大器第二输出端连接动态比较器第二输入端;
动态比较器输出端作为该比较器输出端。
4.如权利要求3所述的本振泄露抑制电路,其特征在于,所述自动调零预放大器包括:第一~第六传输门、第一~第二电容和放大器;
第一传输门一端连接公共电压,另一端通过第一电容连接放大器第一输入端;
第二传输门一端作为比较器第一输入端,另一端通过第一电容连接放大器第一输入端;
第三传输门一端作为比较器第二输入端,另一端通过第二电容连接放大器第二输入端;
第四传输门一端连接公共电压,另一端通过第二电容连接放大器第二输入端;
第五传输门连接在放大器第一输入端和放大器第二输出端之间;
第六传输门连接在放大器第二输入端和放大器第一输出端之间。
5.如权利要求2所述的本振泄露抑制电路,其特征在于,所述电流源阵列包括9位二进制比例电流镜和6位二进制比例电流镜;
9位二进制比例电流镜输出连接有源双平衡混频器基带信号,6位二进制比例电流镜输出连接有源双平衡混频器第一~第八背栅晶体管的背栅。
6.如权利要求5所述的本振泄露抑制电路,其特征在于,
所述9位二进制比例电流镜与6位二进制比例电流镜,每一个电流镜都有一个晶体管开关,晶体管开关与时序控制逻辑单元的总线相连接,每组电流镜按照基准、2的0次幂到2的高次幂的顺序依次按比例划分,每组电流镜的输出连接在一起,形成两相从-256~+255以及-32~+31的调节范围。
7.如权利要求5所述的本振泄露抑制电路,其特征在于:
定义晶体管沟道静态电流为BBI和BBQ,其校准观测信号为BBIP、BBIN、BBQP、BBQN,由4组9位二进制电流镜做补偿;
定义晶体管背栅静态电压为LOIP、LOIN、LOQP、LOQN,其校准观测信号为LOP、LON,由8组6位二进制电流镜做补偿,校准顺序为LOIP、LOIN、LOQP、LOQN、BBI、BBQ。
8.如权利要求1所述的本振泄露抑制电路,其特征在于,所述时序控制逻辑单元分为4组9位总线和8组6位总线。
9.如权利要求8所述的本振泄露抑制电路,其特征在于:
所述时序控制逻辑单元的所述脉冲信号和比较器做与非判断后,产生电流源阵列控制总线信号。
10.一种具有权利要求1-9任意一项所述本振泄露抑制电路的直接上变频发射机。
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