[发明专利]一种获取雪崩二极管关键参数的方法

权利要求书

1.一种获取雪崩二极管关键参数的方法，其特征在于，包括以下步骤：

实测待测雪崩二极管的多个测点的测点光电流和测点电压，根据测点光电流确定对应的测点增益；

将对应测点的测点增益和测点电压进行数学变换后进行线性拟合，并确定拟合线形的斜率和截距，包括：

对各个测点的测点增益进行数学变换后作为纵坐标，根据公式log(1-1/M_p)对各个测点的测点增益M_p进行数学变换后作为纵坐标；

将对应测点增益的测点电压进行数学变换后作为横坐标，根据公式logV_p将对应测点增益的测点电压V_p进行数学变换后作为横坐标；

将多个对应的横坐标和纵坐标进行拟合，并确定拟合线形的斜率和截距；

根据斜率和截距确定击穿电压。

2.如权利要求1所述的获取雪崩二极管关键参数的方法，其特征在于：根据公式Vbr＝10^{-intercept/slope}确定击穿电压Vbr，其中，slope为斜率，intercept为截距。

3.如权利要求1所述的获取雪崩二极管关键参数的方法，其特征在于：还包括根据斜率slope和击穿电压Vbr确定器件增益和施加电压的对应关系的步骤。

4.如权利要求3所述的获取雪崩二极管关键参数的方法，其特征在于：所述的根据斜率和击穿电压确定器件增益和施加电压的对应关系的步骤，具体包括：

根据公式r＝slope确定待定指数r，其中，slope为斜率；

根据待定指数r和击穿电压Vbr确定器件增益和施加电压的对应关系。

5.如权利要求4所述的获取雪崩二极管关键参数的方法，其特征在于：根据公式确定器件增益M和施加电压V的对应关系。

6.如权利要求1所述的获取雪崩二极管关键参数的方法，其特征在于：根据公式M_p＝I_p/I₀确定测点光电流I_p对应的测点增益M_p，其中，I₀为增益为1时的光电流。

7.如权利要求6所述的获取雪崩二极管关键参数的方法，其特征在于：I₀根据待测雪崩二极管的原始数据获得。