[发明专利]一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件在审
| 申请号： | 202110518236.4 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113314588A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;陆界江;桜井建弥;李娇 | 申请（专利权）人： | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 张欢欢 |
| 地址： | 201899 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高抗闩锁 能力 iegt 器件 | ||
1. 一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，其特征是，包括：发射极、N+型发射区、栅极、浮动P区、P型基区、P+型基区、P沟道MOSFET 管、N-型漂移层、N型缓冲区、P-型集电极区、以及集电极；
所述N-型漂移层的上方间隔设置所述P型基区和栅极，所述栅极之间设置所述浮动P区，所述P沟道MOSFET管设置在所述浮动P区内，除设置有所述P沟道MOSFET管的所述P型基区以外的其它P型基区表面一侧设有所述P+型基区、另一侧设有所述N+型发射区，所述N+型发射区上方设有与所述N+型发射区连接的所述发射极；
所述N-型漂移层的下方设置所述N型缓冲区，所述N型缓冲区的下方设置所述P-型集电极区，所述P-型集电极区的下方连接所述集电极。
2.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，其特征是，所述P沟道MOSFET管在IEGT器件的导通周期关断，在IEGT器件的关断期间打开。
3.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，其特征是，所述N+型发射区为垂直设置。
4. 根据权利要求3所述的一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，其特征是，所述垂直的N+型发射区域使用CVD PSG的横向扩散技术形成。
5.根据权利要求1所述的一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，其特征是，在所述P+型基区和N+型发射区的下方布置反向P+型基区。
6.根据权利要求5所述的一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，其特征是，所述反向P+型基区使用高压离子注入。
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