[发明专利]显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含氧化物半导体；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；

导电层，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层位于所述第二有源层上，所述第二源极与所述第一导电层电连接，所述第二漏极与所述第二导电层电连接；其中，

所述第二有源层包括沟道区和非沟道区，所述第二栅极与所述沟道区相互交叠，所述第一导电层与所述第二导电层设置于所述非沟道区，且在平行于所述衬底基板表面的平面上，所述第一导电层与所述第二栅极之间包括第一间隙，所述第二导电层与所述第二栅极之间包括第二间隙，所述第一间隙的宽度为W1，所述第二间隙的宽度为W2，其中，W1＞0，且W2＞0；

所述显示面板还包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第三有源层、第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第三有源层包含氧化物半导体；其中，

所述第三晶体管包括第三导电层和第四导电层，所述第三有源层包括沟道区和非沟道区，所述第三栅极与所述沟道区相互交叠，所述第三导电层与所述第四导电层设置于所述非沟道区，且在平行于所述衬底基板表面的平面上，所述第三导电层与所述第三栅极之间包括第三间隙，所述第四导电层与所述第三栅极之间包括第四间隙，所述第三间隙的宽度为W3，所述第四间隙的宽度为W4，其中，W3＞0，且W4＞0；

与所述第一间隙交叠的所述第二有源层的区域中掺杂第一掺杂剂的浓度为C1，与所述第二间隙交叠的所述第二有源层的区域中掺杂第一掺杂剂的浓度为C2；

与所述第三间隙交叠的所述第三有源层的区域中掺杂第一掺杂剂的浓度为C3，与所述第四间隙交叠的所述第三有源层的区域中掺杂第一掺杂剂的浓度为C4；其中，

C11为C1与C2中较大的一者，C22为C3与C4中较大的一者，0≤C11＜C22。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板包括像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管，所述第二晶体管的所述第二漏极连接于所述驱动晶体管的栅极，所述第二源极连接于复位信号端或者所述驱动晶体管的漏极，所述第二晶体管用于为所述驱动晶体管的栅极提供复位信号，或者，用于补偿所述驱动晶体管的阈值电压。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第二源极向所述沟道区传输电流的速率大于所述第二漏极向所述沟道区传输电流的速率；或者，

所述第二源极向所述沟道区传输电流的路径长度小于所述第二漏极向所述沟道区传输电流的路径长度。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

W2＞W1。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

W2-W1≤1μm。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

与所述第一间隙和/或所述第二间隙交叠的所述第二有源层的区域至少部分掺杂有第一掺杂剂，所述第一导电层和/或所述第二导电层与所述第二有源层交叠的区域至少部分未掺杂所述第一掺杂剂。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，

与所述第一间隙交叠的所述第二有源层的区域掺杂的所述第一掺杂剂的浓度为C1，与所述第二间隙交叠的所述第二有源层的区域掺杂的所述第一掺杂剂的浓度为C2，其中，C1＞C2≥0。

8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第一导电层与所述第二有源层之间的交叠面积为S1，所述第二导电层与所述第二有源层之间的交叠面积为S2，其中，S1＞S2。

9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第一导电层的电阻率小于所述第二导电层的电阻率。