[发明专利]一种含有栅线的钙钛矿电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种含有栅线的钙钛矿电池结构的制备方法，其特征在于，所述含有栅线的钙钛矿电池结构包括从下至上依次包括玻璃基板（1）、透明导电薄膜（3）、第一传输层（4）和钙钛矿吸收层（5）、第二传输层（6）和金属电极层（7），玻璃基板（1）上与透明导电薄膜（3）接触的一面开设有凹槽（9），凹槽（9）内沉积有栅线（2）；

凹槽（9）的深度为0.1~50μm，凹槽（9）的宽度为1~50μm；凹槽（9）设有若干个；两个相邻凹槽（9）的中心之间的间距为100~10000μm；透明导电薄膜（3）的厚度为100~2000nm；第一传输层（4）的厚度为10~50nm；钙钛矿吸收层（5）厚度为200~800nm；第二传输层（6）厚度为10~100nm；金属电极层的厚度为50~500nm，包括如下步骤：

步骤1）在玻璃基板（1）上涂覆一层保护膜（8）；

步骤2）在涂覆有保护膜（8）的玻璃基板上进行刻蚀，在玻璃基板（1）上形成深度为0.1~50μm、宽度为1~50μm的凹槽（9）；

步骤3）在含有凹槽（9）的玻璃基板（1）上镀制导电材料，形成导电膜（10），凹槽（9）内填充入导电材料，得到基片；

步骤4）将基片置于溶剂中，对基片上的保护膜（8）和保护膜（8）上的导电膜（10）进行剥离，剥离完全后，得到表面铺设有栅线（2）的基板；

步骤5）在表面铺设有栅线（2）的基板上镀制透明导电薄膜（3）；

步骤6）在透明导电薄膜（3）上依次镀制第一传输层（4）、钙钛矿吸收层（5）、第二传输层（6）和金属电极层（7），得到含有栅线的钙钛矿电池结构。

2.根据权利要求1所述的含有栅线的钙钛矿电池结构的制备方法，其特征在于，保护膜（8）的厚度为0.3~20μm；

保护膜（8）为光刻胶或PMMA；

导电膜（10）的厚度为0.1~50μm；

导电膜（10）由Cu、Ag、Au、Al、Ni、Fe、金属合金、石墨烯和碳纳米线中的任一种制备而成。

3.根据权利要求1所述的含有栅线的钙钛矿电池结构的制备方法，其特征在于，步骤4）中的溶剂为DMSO、甲苯或DMF有机溶剂。

4.根据权利要求1所述的含有栅线的钙钛矿电池结构的制备方法，其特征在于，步骤2）的刻蚀为激光刻蚀法、化学刻蚀法、离子轰击刻蚀法。

5.根据权利要求1所述的含有栅线的钙钛矿电池结构的制备方法，其特征在于，栅线（2）为Cu、Ag、Au、Al、Ni、Fe、金属合金、石墨烯和碳纳米线中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的含有栅线的钙钛矿电池结构的制备方法，其特征在于，透明导电薄膜（3）为ITO、FTO、AZO、IWO和石墨烯材料中的任意一种。