[发明专利]提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法有效
申请号: | 202110519052.X | 申请日: | 2021-05-12 |
公开(公告)号: | CN113257702B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 衣男;唐艺菁;刘星;赵亚玲;黄桂龙;刘文丽;周聪莉;陈轶龙;屈云鹏 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 马贵香 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 基于 pop 工艺 标准化 模块 应用 可靠性 方法 | ||
1.提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,包括:
S1,对各塑封器件和各基板分别进行测试;
S2,各塑封器件和各基板测试完成后,将各塑封器件焊接在对应基板上,焊接后形成两个子基板,分别为SoC基板和FPGA基板;
S3,对SoC基板和FPGA基板分别进行三温测试;
S4,SoC基板和FPGA基板测试完成后,对SoC基板+FPGA基板组合进行三温测试;
S5,对SoC基板+FPGA基板组合测试完成后,采用PoP工艺将SoC基板和FPGA基板组装为标准化模块;
S6,对标准化模块进行三温测试;
S7,标准化模块测试完成后,进行批量生产;
S8,对批量标准化模块进行老炼筛选测试及鉴定测试。
2.根据权利要求1所述的提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,鉴定测试完成后,标准化模块安装在印制板上时,标准化模块侧面无刻蚀线部位用加固胶进行加固。
3.根据权利要求1所述的提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,鉴定测试完成后,标准化模块安装在印制板上时,在印制板上塑封器件底部无焊盘部位增加注胶孔。
4.根据权利要求1所述的提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,鉴定测试完成后,标准化模块安装在印制板上时,塑封器件表面以散热板的形式进行机械加固。
5.根据权利要求1所述的提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,鉴定测试完成后,标准化模块安装在印制板上之前,对标准化模块进行BGA植球。
6.根据权利要求1所述的提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,鉴定测试完成后,标准化模块安装在印制板上时,在标准化模块顶部通过散热板进行机械固定,且在散热板与标准化模块之间设置导热绝缘垫。
7.根据权利要求1所述的提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,S1中对基板进行测试具体是:对基板的电源与地信号之间的导通阻抗和绝缘阻抗进行测试,对基板上信号的连通性与通路的正确性进行测试。
8.根据权利要求1所述的提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,S3中,对SoC基板的测试项目包括:高温、中温和低温下分别进行CPU测试、DDR3测试、片内RAM测试、SPI-FLASH测试、UART测试、CAN测试、1553测试、以太网测试、I2C测试、SPI测试和QSPI测试。
9.根据权利要求1所述的提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,S4中,对SoC基板+FPGA基板组合进行测试是对SoC基板和FPGA基板之间互联信号的正确性与完整性进行测试。
10.根据权利要求1所述的提高基于PoP工艺的标准化模块应用可靠性的方法,其特征在于,S6中,对标准化模块的测试项目包括:CPU测试、DDR3测试、片内RAM测试、SPI-FLASH测试、UART测试、CAN测试、1553测试、以太网测试、I2C测试、SPI测试、QSPI测试、GPIO测试及相应接口误码率测试、静态电流测试、动态电流测试和功耗测试。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造