[发明专利]硒化亚铜薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种硒化亚铜薄膜的制备方法，包括：

获取一衬底，其中，所述衬底的至少一面为抛光面；

在所述衬底的抛光面上生长绝缘隔离层；其中，所述绝缘隔离层材料为氮化硅或氧化硅；

采用物理溅射方式在所述绝缘隔离层上制备硒化亚铜薄膜；其中，

靶材采用的是直径ϕ50mm×4mm，纯度为99.99%的硒化亚铜，表面磁感应强度为300~400高斯，溅射时采用的双极脉冲电源的正脉冲电源为80 V，负脉冲电源400 V，工作电流0.05A，在引入氩气之前，溅射室的真空度为2.8×10^-3 Pa，引入氩气后，溅射时真空度为0.3Pa，溅射时间为10min，衬底温度为298 K；

其中，所述硒化亚铜薄膜中铜硒原子的比例在2.5：1至1.8：1的范围，所述硒化亚铜薄膜的厚度为150nm~200nm；

在290~1000 K温度范围内，所述硒化亚铜薄膜的塞贝克系数值为-600~600 ，所述硒化亚铜薄膜的电导率为0.4~8 ，所述硒化亚铜薄膜的热导率值为1~3 ；

在700~1000 K温度范围内，所述硒化亚铜薄膜的热电优值大于3。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述硒化亚铜薄膜中包含单晶、多晶和无定形粉末其中至少一种组分的硒化亚铜；随着温度的变化，所述硒化亚铜薄膜的薄膜结晶度、晶粒尺寸、晶格取向和点阵结构其中至少之一发生变化。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，通过调控所述硒化亚铜薄膜的厚度可调控所述塞贝克系数值。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，随着温度的变化，所述硒化亚铜薄膜表现为P型或N型。