[发明专利]一种基于悬浮感应熔炼制备W-Ta单相固溶体材料

权利要求书

1.一种基于悬浮感应熔炼制备的W-Ta单相固溶体材料，其特征在于：所述W-Ta单相固溶体材料，按质量百分比计，其组成如下：钽10-40w.t.％；钨60-90w.t.％，其为单相固溶体结构；所述W-Ta单相固溶体材料由钨钽预烧结坯体通过悬浮感应熔炼制备获得；

所述钨钽预烧结坯体的制备过程为：在保护气氛下称取设计比例的钨粉、钽粉，并在保护气氛下混料获得混匀料，然后将混匀料，冷等静压成型获得钨钽预制块，再将钨钽预制块进行预烧结即得钨钽预烧结坯体；

所述钨粉的粒径为1-5μm，所述钽粉的粒径≤1μm。

2.根据权利要求1所述的一种基于悬浮感应熔炼制备的W-Ta单相固溶体材料，其特征在于：所述W-Ta单相固溶体材料，按质量百分比计，其组成如下：钽30-40w.t.％；钨60-70w.t.％。

3.根据权利要求1所述的一种基于悬浮感应熔炼制备的W-Ta单相固溶体材料，其特征在于：所述W-Ta单相固溶体材料的密度为17.9～19.3g/cm³。

4.根据权利要求1所述的一种基于悬浮感应熔炼制备的W-Ta单相固溶体材料，其特征在于：混料时间6-9h，混料的转速为8-12r/min。

5.根据权利要求1所述的一种基于悬浮感应熔炼制备的W-Ta单相固溶体材料，其特征在于：所述冷等静压成型的压力为300-500MPa，保压时间≤60s。

6.根据权利要求1所述的一种基于悬浮感应熔炼制备的W-Ta单相固溶体材料，其特征在于：所述预烧结在真空气氛下进行，预烧结的温度为1000-1300℃，预烧结的时间为1-2h，升温速率为5-15℃/min，真空度≥1×10^-3Pa。

7.根据权利要求1所述的一种基于悬浮感应熔炼制备的W-Ta单相固溶体材料，其特征在于：所述悬浮感应熔炼过程为，先设置初始电流是100-200A，然后以5-15A/s的速率增大电流，到达700-800A，以5-10A/s的速率增大电流，直至电流为1000A-1200A，保温0-20min。

8.根据权利要求1所述的一种基于悬浮感应熔炼制备的W-Ta单相固溶体材料，其特征在于：所述悬浮感应熔炼过程中，真空度≥1×10^-3Pa。