[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括导电结构；

下电极层，由分立的多个下电极柱组成，所述下电极柱与所述导电结构电连接；

介质层，所述介质层覆盖所述下电极柱的顶面和侧壁；

在所述介质层表面依次设置的上电极层、金属间化合物层以及掺杂半导体层，所述金属间化合物层包含所述掺杂半导体层的掺杂元素。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属间化合物层包含第一金属间化合物和第二金属间化合物，所述第一金属间化合物包含所述掺杂元素，所述第二金属间化合物包含预设金属元素和所述掺杂半导体层的半导体元素，所述上电极层包含所述预设金属元素。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属间化合物由所述掺杂元素和所述预设金属元素构成。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：金属层，所述金属层位于所述上电极层与所述金属间化合物层之间，所述金属层用于分隔所述上电极层和所述金属间化合物层，所述金属层包含所述预设金属元素。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂半导体层的半导体元素包括硅元素或锗元素中的至少一者，所述第二金属间化合物包括金属硅化物或金属锗化物中的至少一者。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述预设金属元素包括钛元素。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂元素包括硼元素，所述金属间化合物层包括硼化钛。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述上电极层的材料包括氮化钛。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：支撑层，所述支撑层用于固定所述下电极柱，所述介质层覆盖所述下电极柱和所述支撑层暴露的表面。

10.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括导电结构；

形成下电极层，所述下电极层包括分立的多个下电极柱，所述下电极柱与所述导电结构电连接；

形成介质层，所述介质层覆盖所述下电极柱的侧壁和顶面；

在所述介质层表面形成依次设置的上电极层、金属间化合物层以及掺杂半导体层，所述金属间化合物层包含所述掺杂半导体层的掺杂元素。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述金属间化合物层的工艺步骤包括：

形成依次设置的初始金属层和初始掺杂半导体层；

在形成所述初始掺杂半导体层的过程中，或者，在形成所述初始掺杂半导体层之后，对所述初始掺杂半导体层进行热处理工艺，以使所述初始金属层的至少部分元素与所述初始掺杂半导体层的部分掺杂元素反应生成第一金属间化合物，以作为所述金属间化合物层的组成部分，剩余所述初始掺杂半导体层作为所述掺杂半导体层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在形成所述初始掺杂半导体层的工艺过程中，对所述初始掺杂半导体层进行所述热处理工艺，所述热处理工艺的温度范围为400℃～500℃。

13.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在垂直于所述上电极层表面的方向上，所述初始金属层的厚度为1nm～3nm。

14.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述热处理工艺的过程中，所述初始金属层的部分元素与所述初始掺杂半导体层的部分半导体元素反应生成第二金属间化合物，所述第一金属间化合物和所述第二金属间化合物构成所述金属间化合物层。

15.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在形成所述介质层之前，形成支撑层，所述支撑层固定所述下电极柱；在形成所述支撑层和所述下电极层之后，形成所述介质层，所述介质层覆盖所述下电极柱以及所述支撑层暴露的表面。