[发明专利]膜厚测定装置、研磨装置以及膜厚测定方法

权利要求书

1.一种膜厚测定装置，应用于对基板的膜进行研磨的研磨装置，所述基板所具有的所述膜包含多个布线图案，其特征在于，

所述研磨装置具备研磨台，该研磨台保持研磨垫，所述膜被按压于所述研磨垫，

所述膜厚测定装置具备：

投光器，该投光器在所述研磨装置对所述膜进行研磨期间，投射入射光；

聚光器，该聚光器使从所述投光器投射的所述入射光聚集而成为规定的光斑尺寸之后，向所述膜投射；以及

受光器，该受光器接收从所述膜反射的反射光，

所述规定的光斑尺寸与作为构成所述多个布线图案的各个所述布线图案的宽度中的最小值的最小宽度相比较小。

2.根据权利要求1所述的膜厚测定装置，其特征在于，

所述膜是由有机化合物构成的有机绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的膜厚测定装置，其特征在于，

所述投光器、所述聚光器和所述受光器配置于所述研磨台，

在所述研磨垫的一部分配置有能够供所述入射光和所述反射光透过的透光部件。

4.根据权利要求3所述的膜厚测定装置，其特征在于，

具备筒状的夹具，该夹具将具有所述投光器、所述聚光器和所述受光器的传感器头安装于所述研磨台，

所述夹具以使所述入射光和所述反射光通过所述夹具的内部的方式与所述研磨台连接。

5.根据权利要求1所述的膜厚测定装置，其特征在于，

所述聚光器由透镜构成。

6.根据权利要求1所述的膜厚测定装置，其特征在于，

所述入射光具有红外区域的波长，并且是激光。

7.根据权利要求1所述的膜厚测定装置，其特征在于，

将所述入射光的所述光斑尺寸设为D、将所述入射光的光斑面积设为S、将所述膜的研磨期间的所述投光器或者所述聚光器的圆周速度设为ω、将作为构成所述多个布线图案的各个所述布线图案的面积中的最小值的最小面积设为Smin、将所述入射光的曝光时间设为t，在该情况下，将所述入射光的曝光时间t设定为满足以下的公式(1)：

(S+D×ω×t)≤(α×Smin)···(1)，

其中，α为从0＜α≤2的范围中选择的值，D的单位为μm，S的单位为μm²，ω的单位为μm/sec，Smin的单位为μm²，t的单位为sec。

8.一种膜厚测定装置，应用于对基板的膜进行研磨的研磨装置，所述基板所具有的所述膜包含多个布线图案，其特征在于，

所述研磨装置具备研磨台，该研磨台保持研磨垫，所述膜被按压于所述研磨垫，

所述膜厚测定装置具备：

投光器，该投光器在所述研磨装置对所述膜进行研磨期间，投射入射光；

聚光器，该聚光器使从所述投光器投射的所述入射光聚集而成为规定的光斑尺寸之后，向所述膜投射；以及

受光器，该受光器接收从所述膜反射的反射光，

将所述入射光的所述光斑尺寸设为D、将所述入射光的光斑面积设为S、将所述膜的研磨期间的所述投光器或者所述聚光器的圆周速度设为ω、将作为构成所述多个布线图案的各个所述布线图案的面积中的最小值的最小面积设为Smin、将所述入射光的曝光时间设为t，在该情况下，将所述入射光的曝光时间t设定为满足以下的公式(1)：

(S+D×ω×t)≤(α×Smin)···(1)，

其中，α为从0＜α≤2的范围中选择的值，D的单位为μm，S的单位为μm²，ω的单位为μm/sec，Smin的单位为μm²，t的单位为sec。

9.一种研磨装置，对基板的膜进行研磨，所述基板所具有的所述膜包含多个布线图案，其特征在于，

具备权利要求1所述的膜厚测定装置。

10.一种膜厚测定方法，其特征在于，

研磨装置对基板的膜进行研磨，所述基板所具有的所述膜包含多个布线图案，在该研磨装置对所述膜进行研磨期间，使用权利要求1所述的膜厚测定装置来测定所述膜的膜厚。