[发明专利]基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器及其制作方法

权利要求书

1.基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器，其特征在于，所述中长波红外光电探测器为一种具有电致变色特性的双层栅介质薄膜晶体管，该晶体管由下至上包括：透明基底材料层、透明导电层、二氧化硅质子导体膜栅绝缘层、氧化钨质子导体膜栅绝缘层、沟道层及源电极和漏电极；所述透明导电层上依次设有作为质子存储层的二氧化硅质子导体栅绝缘层和发生电致变色的氧化钨质子导体栅绝缘层；氧化钨层上设有沟道层；沟道层的两端设有源电极和漏电极。

2.根据权利要求1所述的基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器，其特征在于，所述的透明基底材料层为无色透明玻璃。

3.根据权利要求1所述的基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器，其特征在于，所述的透明导电层为ITO层，厚度为60～500nm。

4.根据权利要求1所述的基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器，其特征在于，所述的沟道层为IZO、ITO或IGZO，厚度为20～50nm。

5.根据权利要求1所述的基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器，其特征在于，所述的源极和漏极采用IZO、ITO或IGZO，厚度为200～500nm。

6.根据权利要求1所述的基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器，其特征在于，所述二氧化硅质子导体膜栅绝缘层和氧化钨质子导体膜栅绝缘层上设有栅电极；所述的氧化钨薄膜的厚度为300-1000nm，所述的二氧化硅质子导体膜的厚度为500-4000nm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器，其特征在于，所述光电探测器在栅电极G施加正向电压时，质子将从二氧化硅质子导体栅绝缘层迁移到氧化钨质子导体栅绝缘层，激发晶体管中氧化钨产生变色；在栅电极G施加负向电压时，质子将从氧化钨质子导体膜移回至二氧化硅质子导体栅绝缘层，激发晶体管中氧化钨恢复原有颜色。

8.基于带内跃迁的PbSe量子点中长波红外光电探测器的制作方法，其特征在于，包括PbSe胶体量子点合成的方法和PbSe量子点的光电探测器的制备方法。