[发明专利]一种萘并硒代二唑延迟荧光材料及其制备方法

说明书

本发明属光电显示器件技术领域，具体涉及一种萘并硒代二唑延迟荧光材料及其制备方法。本发明提供了一种萘并硒代二唑延迟荧光材料，其结构式如式(I)所示；本发明还提供了一种萘并硒代二唑延迟荧光材料的制备方法，包括将式(II)所示化合物与式(III)所示化合物通过取代反应制得式(I)所示化合物；本发明提供了一种萘并硒代二唑延迟荧光材料及其制备方法，解决了现有的红色TADF材料合成比较困难且器件效率不高的技术问题。

技术领域

本发明属光电显示器件技术领域，具体涉及一种萘并硒代二唑延迟荧光材料及其制备方法。

背景技术

近年来，由于传统荧光有机发光二极管的低效率和磷光有机发光二极管的高成本，科学家们对基于三重态激子转变为单重态激子的新一代延迟有机电致发光材料的开发产生了兴趣，例如具有三重态-三重态延迟荧光效应和热激活延迟荧光效应的新型有机电致发光材料。其中，TADF材料发展速度最快。在电致发光三基色材料中，由于红色TADF材料分子合成比较困难。因此，红光分子种类相对较少，而且其器件效率也不高。

发明内容

本发明提供了一种萘并硒代二唑延迟荧光材料及其制备方法，解决了现有的红色TADF材料合成比较困难且器件效率不高的技术问题。

本发明提供了一种萘并硒代二唑延迟荧光材料，其结构式如式(I)所示：

本发明还提供了一种萘并硒代二唑延迟荧光材料的制备方法，包括将式(II)所示化合物与式(III)所示化合物通过取代反应制得式(I)所示化合物；

优选的，所述取代反应的时间为8-16h。

本发明的有益效果如下：

本发明实施例制得的TADF材料的发射波长在600nm-700nm之间，为红光发射，且随着反应时间的增加，发射光谱有明显红移，可归因于分子结构内的ICT效应。本发明实施例制得的TADF材料的荧光量子产率均在80％以上，且本发明的瞬态衰减寿命τp(ns)较小，表明本发明的电致发光效率滚降较小。本发明实施例随着反应时间的增加，制得的化合物的亮度有大幅提高，从3864cd/m²提高为5927cd/m²，外量子效率最高可达22.4％，且由于本发明实施例制得的TADF材料其外量子效率在15％以上。

附图说明

图1为本发明实施例5-7的EL光谱；

图2为本发明实施例5-7的瞬态荧光衰减曲线；

图3为本发明实施例5-7制得的TADF材料的亮度-外量子效率曲线；

图4为本发明实施例5-7制得的TADF材料的亮度-电压曲线。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细说明，但实施例并不对本发明做任何形式的限定。除非特别说明，本发明采用的试剂、方法和设备为本技术领域常规试剂、方法和设备。

实施例1

将芘(2.02g，10mmol)溶解在50ml双氧水中，并将溴化氢(1.21g，15mmol)，乙醚和甲醇的混合溶液(体积比＝1:2)添加到上述溶液中，在0℃下搅拌8h，将得到产物在乙醇中重结晶得到产物1-溴芘(2.38g,产率85％)，其化学反应方程式为：

实施例2