[发明专利]一种基于拓扑角态的高品质二次谐波增强器有效
| 申请号： | 202110526065.X | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113391378B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 郭凯;郭忠义;吴金涛 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02F1/35;G02F1/355 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 拓扑 品质 二次 谐波 增强 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于拓扑角态的高品质二次谐波增强器，其特征在于：构建光子晶体，利用光子晶体晶格的对称性构造赝自旋，通过晶格收缩和扩张激发拓扑角态实现拓扑相变，利用激发后的拓扑角态对二次谐波进行局域增强，并对增强后的二次谐波进行定向辐射；
当输入与拓扑角态频率相同的正弦信号时，二次谐波将被激发并增强。
2.根据权利要求1所述的一种基于拓扑角态的高品质二次谐波增强器，其特征在于：所述的光子晶体是采用全介质材料构建的，当光子晶体晶格中的介质柱向内收缩时，光子晶体为拓扑平庸状态；当光子晶体晶格中的介质柱向外收缩时，光子晶体为拓扑非平庸态，把拓扑平庸状态和拓扑非平庸状态的晶格有序排列得到光子晶体。
3.根据权利要求2所述的一种基于拓扑角态的高品质二次谐波增强器，其特征在于：在所述光子晶体中拓扑平庸状态和拓扑非平庸状态的晶格之间构造Armchair 型边界和Broken-zigzag 型边界，在Armchair 型边界和 Broken-zigzag 型边界组成的十字形结构中心处激发一个高Q因子的拓扑角态，通过拓扑角态的高度局域性增强二次谐波并使其定向辐射出。
4.根据权利要求3所述的一种基于拓扑角态的高品质二次谐波增强器，其特征在于：通过对二次谐波场强进行傅里叶变换得出二次谐波的辐射方向是垂直于光子晶体的表面的。
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