[发明专利]功率半导体器件和功率半导体芯片

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括：

半导体层；

梯形沟槽，所述沟槽从所述半导体层的表面向所述半导体层内凹陷特定深度，并且所述沟槽包括具有第一深度的一对线和连接在所述一对线之间且具有比所述第一深度浅的第二深度的多个连接件；

阱区，被限定在所述半导体层中、在所述一对线之间并且在所述沟槽的所述多个连接件之间；

浮动区，被限定在所述半导体层中、在所述沟槽的所述一对线的外部；

栅极绝缘层，布置在所述沟槽的内壁上；以及

栅极电极层，布置在所述栅极绝缘层上以填充所述沟槽，并且所述栅极电极层包括填充所述一对线的第一部分和填充所述多个连接件的第二部分，其中，所述栅极电极层的所述第二部分的深度比所述栅极电极层的所述第一部分的深度浅。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述沟槽的每个所述连接件的宽度大于所述一对线中的每条线的宽度，并且

其中，所述栅极电极层的所述第二部分的宽度大于所述栅极电极层的所述第一部分的宽度。

3.权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述浮动区在所述一对线的下方延伸以包围所述栅极电极层的所述第一部分的底表面，并且

其中，所述栅极电极层的所述第二部分的底表面相对于所述浮动区露出。

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件，其中，所述栅极电极层的所述第二部分的深度比所述阱区的深度深。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，还包括：

源极区或发射极区，在所述阱区中与所述栅极电极层的所述第二部分相邻并且在所述栅极电极层的所述第一部分的延伸方向上彼此间隔开。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，还包括：

漂移区，被限定在所述半导体层中、位于所述阱区下方。

7.根据权利要求6所述的功率半导体器件，其中，所述漂移区和所述源极区或发射极区掺杂有第一导电类型的杂质，并且

其中，所述阱区和所述浮动区掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质。

8.一种功率半导体芯片，包括：

半导体层，包括主单元区域和传感器区域；

功率半导体晶体管，布置在所述主单元区域中，并且包括根据权利要求1所述的功率半导体器件；

电流传感器晶体管，布置在所述传感器区域中以监测所述功率半导体晶体管的电流；

发射极端子，连接到所述功率半导体晶体管的发射电极；

电流传感器端子，连接到所述电流传感器晶体管的发射电极；以及

栅极端子，连接到所述功率半导体晶体管的栅极电极和所述电流传感器晶体管的栅极电极。