[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 202110526799.8 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113394160B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法，包括以下步骤：
提供硅基底层，所述硅基底层包括用于形成栅极的栅区；
在所述硅基底层的上表面，形成掩模层；
选择性刻蚀所述掩模层，使得所述栅区位置处的硅基底层从第一窗口外露；
基于所述第一窗口，刻蚀所述硅基底层，使得所述硅基底层在所述第一窗口位置处形成凹槽结构；
对所述第一窗口边缘位置处的掩模层进行回刻蚀，使得所述第一窗口向四周扩展形成第二窗口，使得所述第一窗口边缘和第二窗口边缘之间位置处的硅基底层外露，使得在所述凹槽结构边缘位置处的硅基底层形成台阶结构；
通过外延生长工艺，依照回刻蚀后外露于所述第二窗口中的基底层表面形貌，生长形成硅外延层，所述硅外延层包括形成于所述台阶结构位置处基底层上的突起；
通过快速热退火工艺，氧化所述第二窗口中的硅外延层，使得在所述突起位置处的氧化反应阻挡氧气横向渗透出第二窗口外，形成平坦的HVOX层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述提供硅基底层的步骤中，所述硅基底层包括相对的上表面和下表面；
所述硅基底层中形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述栅区的至少一侧，且所述浅沟槽隔离结构从所述硅基底层的上表面向下延伸。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述选择性刻蚀所述掩模层，使得在所述栅区位置处形成第一窗口的步骤中，使得所述栅区位置处的硅基底层上表面，和靠近所述栅区的所述浅沟槽隔离结构边缘部分，外露于所述第一窗口中。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述基于所述第一窗口，刻蚀所述硅基底层，使得所述硅基底层在所述第一窗口位置处形成凹槽结构的步骤包括：
对外露于所述第一窗口中，所述浅沟槽隔离结构边缘部分进行刻蚀，使得在所述浅沟槽隔离结构边缘部分形成第一凹槽；
对外露于所述第一窗口中，所述栅区位置处的硅基底层进行刻蚀，使得在所述栅区位置处的硅基底层中形成第二凹槽。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩模层的材质为氮化硅。
6.如权利要求1或5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩模层的厚度为700埃至1200埃。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对所述第一窗口边缘位置处的掩模层进行回刻蚀，使得所述第一窗口向四周扩展形成第二窗口，使得所述第一窗口边缘和第二窗口边缘之间位置处的硅基底层外露，使得在所述凹槽结构边缘位置处的硅基底层形成台阶结构的步骤中，使得所述第二窗口在所述第一窗口的基础上回刻蚀100埃至500埃。
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